张嵩

作品数：9被引量：6H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文主题：HVPEGAN氢化物气相外延氮化镓GAAS衬底更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《人工晶体学报》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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HVPE法同质外延氧化镓厚膜技术研究
《人工晶体学报》2025年第2期227-232,共6页董增印 王英民 张嵩 李贺 孙科伟 程红娟 刘超 
卤化物气相外延(HVPE)法因生长速度快、掺杂可控等优势主要被用于生长β-Ga_(2)O_(3)同质外延片。本文采用垂直结构的HVPE设备进行β-Ga_(2)O_(3)厚膜的同质外延,探究了不同生长压力对β-Ga_(2)O_(3)的生长速度和外延质量的影响。研究发...
关键词：卤化物气相外延 β-Ga_(2)O_(3) 同质外延 生长压力 氮杂质 Ⅵ/Ⅲ比 
Ga_(x)In_(1-x)P氢化物气相外延制备工艺及性能研究进展
《半导体技术》2022年第4期266-273,共8页张嵩 程文涛 王健 程红娟 闫礼 孙科伟 董增印 
重点实验室基金一般项目(61428080107)。
对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体Ga_(x)In_(1-x)P材料的性质、应用和外延工艺的发展进行了简单阐述,重点介绍了Ga_(x)In_(1-x)P材料的氢化物气相外延(HVPE)制备工艺对Ga_(x)In_(1-x)P外延层质量和Ga_(x)In_(1-x)P太阳电池性能的影响,并对国外研...
关键词：Ⅲ-Ⅴ族化合物 Ga_(x)In_(1-x)P 氢化物气相外延(HVPE) 外延层 太阳电池 
NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响
《半导体技术》2021年第2期152-157,共6页潘大力 杨瑞霞 张嵩 董增印 
国家自然科学基金资助项目(61774054)。
氢化物气相外延(HVPE)法具有生长成本低、生长条件温和、生长速率快等优点,被认为是生长高质量GaN单晶衬底的最有潜力的方法。为了优化HVPE生长GaN的条件,通过改变NH3流量调控Ⅴ/Ⅲ比(NH3流量与HCl流量之比)。通过建立简单的生长模型,...
关键词：GAN 氢化物气相外延(HVPE) Ⅴ/Ⅲ比 NH3流量 形态变化模型 
MPCVD法同质外延生长单晶金刚石技术概述
《炭素技术》2015年第6期11-16,共6页陈建丽 张嵩 程红娟 徐永宽 
单晶金刚石具有极其优异的性质,如高热导率、高载流子迁移率和高的击穿电压,是制作高可靠性、高稳定性微波功率器件和探测器的理想材料,金刚石基器件可以应用于高温、高功率、强辐射的恶劣环境中。针对金刚石在电学领域与探测领域的潜...
关键词：微波等离子体 化学气相沉积 单晶金刚石 同质外延 
HVPE生长基座结构优化被引量：1
《材料科学与工程学报》2014年第4期582-586,共5页程红娟 张嵩 徐永宽 郝建民 
GaN氢化物气相外延(HVPE)生长过程中,衬底表面的温度分布对其生长质量有着重要影响。我们采用计算机模拟,研究了GaN生长过程中所使用的不同结构石墨基座上的温度分布。根据所得不同结构下基座上的温度分布,选择衬底上温度分布最均匀的...
关键词：模拟 GAN HVPE 基座 衬底 
ZnO缓冲层的厚度对HVPE-GaN外延层的影响被引量：2
《微纳电子技术》2014年第1期66-70,共5页王晓翠 杨瑞霞 王如 张嵩 任光远 
为了得到高质量的GaN材料,首先在c面蓝宝石(Al2O3)衬底上射频磁控溅射不同厚度的ZnO缓冲层,然后采用氢化物气相外延(HVPE)法在ZnO缓冲层上生长约5.2μm厚的GaN外延层,研究ZnO缓冲层的厚度对GaN外延层质量的影响。用微分干涉显微镜(DIC)...
关键词：氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) ZnO缓冲层 蓝宝石 磁控溅射 
HVPE生长厚层GaN基片V/Ⅲ对结晶质量的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第3期215-218,共4页杨丹丹 徐永宽 程红娟 张嵩 李晖 徐所成 史月增 刘金鑫 岳洋 张峰 郝建民 
采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析。生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中V/...
关键词：氢化物 气相外延 氮化镓 X射线双晶衍射 拉曼光谱 V/Ⅲ 
载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响
《天津科技》2012年第1期77-79,共3页杨丹丹 徐永宽 张嵩 程红娟 李晖 徐所成 史月增 徐胜 
采用氢化物气相外延(HVPE)法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪(DCXRD)及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得较高质量的GaN晶体,同时可以大大降低晶片的弯曲度,便于Ga...
关键词：氢化物气相外延 氮化镓 X射线双晶衍射 载气 厚层生长 
HVPE法制备GaN过程中GaAs衬底的氮化被引量：2
《微纳电子技术》2010年第10期610-613,618,共5页张嵩 杨瑞霞 徐永宽 李强 
在自制的立式氢化物气相外延(HVPE)系统炉中,一定温度下通入一定流量的NH3使GaAs(111)衬底氮化一层GaN薄膜,以防止高温外延生长GaN时GaAs分解,进而提高了之后GaN外延生长的晶体质量。实验主要通过XRD检测氮化层的质量,研究了氮化温度和...
关键词：GAN 氮化层 GaAs 氢化物气相外延(HVPE) XRD 
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