载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响  

作　　者：杨丹丹[1] 徐永宽[1] 张嵩[1] 程红娟[1] 李晖[1] 徐所成[1] 史月增[1] 徐胜[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《天津科技》2012年第1期77-79,共3页Tianjin Science & Technology

摘　　要：采用氢化物气相外延(HVPE)法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪(DCXRD)及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得较高质量的GaN晶体,同时可以大大降低晶片的弯曲度,便于GaN材料的应用。

关 键 词：氢化物气相外延 氮化镓 X射线双晶衍射 载气 厚层生长 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]