X射线双晶衍射

作品数：109被引量：155H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王玉田王立江风益朱南昌李润身更多>>
相关机构：中国科学院南昌大学中国科学院上海冶金研究所北京工业大学更多>>
相关期刊：《功能材料》《红外与毫米波学报》《兰州大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金电子信息产业发展基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
X射线双晶衍射在半导体材料及结构分析中的应用
《材料科学》2018年第1期37-44,共8页关志强 唐吉龙 魏志鹏 牛守柱 方铉 房丹 王登魁 贾慧民 王晓华 
国家自然科学基金(61574022,61504012,61674021,11674038,61704011);吉林省科技发展计划(20160519007JH,20160101255JC,20160204074GX,20170520117JH);长春理工大学科技创新基金(XJJLG-2016-14)对本研究工作的支持。
X射线双晶衍射是半导体材料及结构的重要分析手段,广泛应用于半导体薄膜,超晶格及量子阱等材料和器件的性能表征方面。文章综述了X射线双晶衍射在分析薄膜晶体质量,合金组分,超晶格膜厚,应变中的应用,对于半导体激光器而言,这些参数的...
关键词：X射线双晶衍射 晶体质量 超晶格 应变 
碲锌镉晶体Zn组分的光致发光实用化研究被引量：7
《激光与红外》2013年第1期54-57,共4页许秀娟 折伟林 周翠 沈宝玉 巩锋 周立庆 
利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱,对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值,根据实验总结出的Eg与Zn组分的室温计算公式,结合自主开发的Zn组分计算程序得到碲锌镉晶片上的Zn组分。所得的Z...
关键词：碲锌镉 CDZNTE Zn组分 光致发光 PL X射线双晶衍射 
外延在蓝宝石衬底上的非掺杂GaN研究被引量：4
《发光学报》2012年第10期1084-1088,共5页李影智 邢艳辉 韩军 陈翔 邓旭光 徐晨 
国家高技术研究发展计划(863计划)(2008AA03Z402);北京市自然科学基金(4102003;4112006;4092007);国家自然科学基金(61204011;61107026)资助项目
采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜,在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品,并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/...
关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(GaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱 
HVPE生长厚层GaN基片V/Ⅲ对结晶质量的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第3期215-218,共4页杨丹丹 徐永宽 程红娟 张嵩 李晖 徐所成 史月增 刘金鑫 岳洋 张峰 郝建民 
采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析。生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中V/...
关键词：氢化物 气相外延 氮化镓 X射线双晶衍射 拉曼光谱 V/Ⅲ 
MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究被引量：1
《光电子．激光》2012年第4期708-711,共4页韩军 冯雷 邢艳辉 邓军 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展"863"计划(2008AA03Z402);国家自然科学基金(61107025);北京市自然科学基金(4102003;4112006;4092007)资助项目
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ...
关键词：金属有机物气相淀积(MOCVD) p型氮化镓(CaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 原子力显微镜(AFM) 
组份变化的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响被引量：1
《发光学报》2012年第1期68-71,共4页单含 李梅 
通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条...
关键词：GaSb衬底 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 X射线双晶衍射 发光性质 
载气对氢化物气相外延生长厚层GaN基片的影响
《天津科技》2012年第1期77-79,共3页杨丹丹 徐永宽 张嵩 程红娟 李晖 徐所成 史月增 徐胜 
采用氢化物气相外延(HVPE)法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪(DCXRD)及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的基片进行测试。结果表明载气中通入H2可获得较高质量的GaN晶体,同时可以大大降低晶片的弯曲度,便于Ga...
关键词：氢化物气相外延 氮化镓 X射线双晶衍射 载气 厚层生长 
MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率被引量：1
《功能材料》2011年第7期1227-1229,共3页韩军 邢艳辉 邓军 朱延旭 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA03Z402);北京市自然科学基金资助项目(4102003;4092007;4112006);北京市教育委员会科技发展计划资助项目(KM200810005002);北京工业大学博士科研启动基金资助项目(X0002013200901;X0002013200902)
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有...
关键词：Mg掺杂InGaN 金属有机物化学气相淀积 原子力显微镜 X射线双晶衍射 
InP晶片表面优化处理及键合性质分析
《光学与光电技术》2010年第3期69-74,共6页何国荣 渠红伟 郑婉华 陈良惠 
采用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同处理流程后的InP(100)表面粗糙度及化学成分进行测试分析,优选出C、O元素浓度较低,且表面均方根粗糙度影响较小的表面清洗方法。通过比较键合结构的薄膜转移照片可知,表面清洗后的干...
关键词：键合 X射线光电子能谱 微观粗糙度 薄膜转移 X射线双晶衍射 
p型GaN低温粗化提高发光二极管特性被引量：4
《物理学报》2010年第2期1233-1236,共4页邢艳辉 韩军 邓军 李建军 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA03Z402);北京市自然科学基金(批准号:4092007; 4102003);北京市教育委员会科技发展计划(批准号:KM200810005002);北京工业大学博士科研启动基金(批准号:X0002013200901)资助的课题~~
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP2Mg)和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP2Mg]/[TMGa])在1.4×10-3—2.5×10-3范围内,随[CP2Mg]/[TMGa]增加...
关键词：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 原子力显微镜 X射线双晶衍射 
全选清除导出
共11页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部