冯雷

作品数：4被引量：12H指数：2
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：MOCVDGANMOCVD生长材料特性ALN缓冲层更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体光电》《中国激光》《光电子．激光》更多>>
所获基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响被引量：8
《中国激光》2013年第1期158-162,共5页廉瑞凯 李林 范亚明 王勇 邓旭光 张辉 冯雷 朱建军 张宝顺 
国家自然科学基金(61176126;61006084);杰出青年基金(60925017)资助课题
主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面...
关键词：材料 GAN SI(111) ALN缓冲层 预辅Al 应变状态 
高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究被引量：4
《光电子．激光》2012年第9期1754-1759,共6页冯雷 韩军 邢艳辉 邓旭光 汪加兴 范亚明 张宝顺 
国家自然科学基金(61006084);北京市自然科学基金(4102003;4112006;4092007)资助项目
研究了金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统外延高Al组分较厚AlGaN薄膜材料的生长技术。实验发现,AlGaN/GaN结构中的AlGaN材料的相分离现象可能是由于过低的生长V/III以及材料所受的张应力状态所致,而V/III过高时则会出现Al源的并入...
关键词：ALGAN 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 相分离 表面形貌 AL组分 
生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响
《半导体光电》2012年第3期367-369,374,共4页冯雷 韩军 邢艳辉 范亚明 
国家自然科学基金资助项目(61006084);北京市自然科学基金项目(4102003;4112006;4092007)
研究了采用MOCVD技术分别在100与500Torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。研究表明,低压100Torr外延生长条件可以有效地降低Ga与NH3气相反应造成GaN薄膜的碳杂质沾污,从而抑制造成光致发光中黄光峰与蓝光峰的深...
关键词：GAN MOCVD 生长压力 光致发光 载流子浓度 载流子迁移率 
MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究被引量：1
《光电子．激光》2012年第4期708-711,共4页韩军 冯雷 邢艳辉 邓军 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展"863"计划(2008AA03Z402);国家自然科学基金(61107025);北京市自然科学基金(4102003;4112006;4092007)资助项目
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ...
关键词：金属有机物气相淀积(MOCVD) p型氮化镓(CaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 原子力显微镜(AFM) 
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