汪加兴

作品数：5被引量：11H指数：2
导出分析报告
供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：MOCVDSI衬底氮化镓成核GAN更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》《发光学报》《光电子．激光》更多>>
所获基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响被引量：5
《光电子．激光》2013年第7期1338-1343,共6页邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 范亚明 陈翔 李影智 朱建军 
国家自然科学基金(61176126,61006084,61204011);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003,4112006)资助项目
采用低温AlN成核层,在Si(111)衬底上,用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射(XRD)、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜(AFM)研究了AlN成核层的厚度对GaN外延层的影响。对AlN的测试表明,AlN的表面粗糙度(RMS)...
关键词：GAN AlN成核层 SI衬底 金属有机化合物气相沉积(MOCVD) 
退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响
《半导体光电》2013年第3期445-447,451,共4页汪加兴 韩军 邢艳辉 邓旭光 王逸群 邢政 姜春宇 方运 
北京市自然科学基金项目(4102003,4112006);国家自然科学基金项目(61204011)
用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1 100℃退火处理后,正的折射率...
关键词：等离子体增强化学气相淀积 折射率 退火 
H_2载气流量对AlN缓冲层生长的影响被引量：2
《发光学报》2013年第6期776-781,共6页邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 崔明 陈翔 范亚明 朱建军 张宝顺 
国家自然科学基金(N61176126;61006084;61204011);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003;4112006)资助项目
在Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备生长了AlN和GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了AlN缓冲层生长时的载气(H2)流量变化对GaN外延层的影响。椭圆偏振仪测试表明:相同生长时间内AlN的厚...
关键词：氮化镓(GaN) ALN缓冲层 H2载气 SI衬底 金属有机化学气相沉积 
高阻GaN的MOCVD外延生长被引量：1
《发光学报》2013年第3期351-355,共5页邓旭光 韩军 邢艳辉 汪加兴 范亚明 张宝顺 陈翔 
国家自然科学基金(61176126;61006084;61204011);国家杰出青年科学基金(60925017);北京市自然科学基金(4102003;4112006)资助项目
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明,延长GaN成核层的生长时间,降低成核层生长时的反应室压力,...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 蓝宝石衬底 金属有机化合物气相沉积 
高Al组分AlGaN材料优化生长与组分研究被引量：4
《光电子．激光》2012年第9期1754-1759,共6页冯雷 韩军 邢艳辉 邓旭光 汪加兴 范亚明 张宝顺 
国家自然科学基金(61006084);北京市自然科学基金(4102003;4112006;4092007)资助项目
研究了金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统外延高Al组分较厚AlGaN薄膜材料的生长技术。实验发现,AlGaN/GaN结构中的AlGaN材料的相分离现象可能是由于过低的生长V/III以及材料所受的张应力状态所致,而V/III过高时则会出现Al源的并入...
关键词：ALGAN 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 相分离 表面形貌 AL组分 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部