AL组分

作品数：67被引量：124H指数：5
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Al组分阶梯型渐变电子阻挡层深紫外LED性能研究
《赣南师范大学学报》2024年第3期85-89,共5页陈颖 黄丽莹 张悦 冯镜如 钟伟 
江西省研究生创新专项资金项目(YC2023-S866);大学生创新训练计划项目(S202310418012)。
为减少电子泄漏改善发光性能,本文基于深紫外发光二极管(LED)提出了一种Al组分阶梯型渐变电子阻挡层(EBL)结构.通过数值研究,对比分析了不同EBL结构对深紫外LED发光性能的影响规律.结果表明,相较于传统EBL结构的深紫外LED(样品A),Al组...
关键词：深紫外LED 极化效应 电子泄漏 电子阻挡层 光输出功率 
Al组分对Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN高电子迁移率晶体管性能的调控研究被引量：1
《山西大学学报（自然科学版）》2024年第2期369-374,共6页王进军 刘宇 徐晨昱 杨嘉伦 李梓腾 段玉博 
陕西省教育厅科研计划专项项目(18JK0103)。
为了研究Al组分对Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transition,HEMT)性能的调控作用,采用Silvaco TCAD软件建立了Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN HEMT数值计算模型,通过数值计算的方法研究了Al组分对Al_(x)Ga_(1-x)...
关键词：Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN HEMT AL组分 异质结 二维电子气 转移特性 输出特性 
高Al组分AlGaN/AlN/GaN量子级联结构的MOCVD外延研究
《电子技术（上海）》2024年第1期1-4,共4页吴粤川 邓文娟 
国家自然科学基金(61961001)。
阐述高Al组分差的GaN/AlN/AlGaN量子级联紫外-红外双色探测结构的设计,并用MOCVD外延实现过程。通过MOCVD监控分析GaN/AlN/AlGaN量子级联结构生长状况,发现外延AlGaN层的整体Al组分偏低。随后用SEM观测样品表面形貌存在凸起,从截面测量...
关键词：电子器件设计 量子级联 MOCVD 紫外-红外探测 SEM 高Al组分 
p-EBL中低Al组分插入层对AlGaN基深紫外LED光电性能的影响
《微纳电子与智能制造》2023年第3期29-34,共6页高一品 刘超 
对于AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED),高Al组分的电子阻挡层(EBL)在抑制电子泄露的同时,也不可避免地造成空穴注入效率的严重下降。在本文中,我们研究了EBL中p型掺杂的低Al组分插入层对DUV LED性能的影响,借助APSYS仿真软件对器件的...
关键词：ALGAN DUV LED 插入层 
分子束外延高Al组分AlGaN薄膜及Si掺杂研究
《人工晶体学报》2023年第5期783-790,共8页梁潇 李思琦 王中伟 邵鹏飞 陈松林 陶涛 谢自力 刘斌 陈敦军 郑有炓 张荣 王科 
国家重点研发计划(2022YFB3605602);国家自然科学基金(61974065);江苏省重点研发计划(BE2020004-3,BE2021026);江苏省特聘教授项目。
实现电学性能优良的高Al组分AlGaN外延层是制备深紫外光电器件最重要的环节之一。本工作利用分子束外延(MBE)技术,基于周期热脱附的生长方式,通过改变Al源供应量调控Al组分,并用Si进行n型掺杂,在AlN/蓝宝石衬底上得到了系列高Al组分的Si...
关键词：高Al组分AlGaN 分子束外延 Si掺杂 载流子特性 周期热脱附 
电子阻挡层Al组分对GaN基蓝光激光二极管光电性能的影响被引量：4
《发光学报》2022年第5期773-785,共13页杜小娟 刘晶 董海亮 贾志刚 张爱琴 梁建 许并社 
国家自然科学基金(61904120,21972103);国家重点研发计划(2016YFB0401803);山西省基础研究项目(201901D111111)资助。
采用SiLENSe(Simulator of light emitters based on nitride semiconductors)软件仿真研究了Al_(x)In_(y)Ga_(1-x-y)N电子阻挡层(EBL)Al组分渐变方式对GaN基激光二极管(LD)光电性能的影响,实现了提高输出功率和电光转换效率的目的。文...
关键词：GaN基蓝光激光二极管 电子阻挡层 AL组分 光电性能 
势垒层Al组分呈台阶梯度的AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管
《微纳电子技术》2022年第5期399-403,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 高楠 芦伟立 陈宏泰 牛晨亮 
河北省省级科技计划资助项目(20311001D)。
设计并制备了AlGaN势垒层中Al组分呈线性梯度分布和呈台阶梯度分布的AlGaN/GaN结构材料及其异质结构场效应晶体管(HFET),测试了基于两种结构材料的HFET器件性能。分析发现,两种结构HFET的阈值电压分别为-9.5和-3.2 V,在1 V栅偏压下,峰...
关键词：台阶梯度异质结 氮化镓(GaN) 异质结场效应晶体管(HFET) 均匀性 无线通信 
不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响被引量：2
《中国激光》2021年第24期40-46,共7页张娜玲 井红旗 袁庆贺 仲莉 刘素平 马骁宇 
国家重点研发项目(2018YFB1107301);国防科技重点基金(6142405041803)。
为了获得更好的量子阱混杂效果,深入探讨了不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响。首先在两种不同Al组分外延片表面上分别生长了一层200nm厚的SiO_(2)介质薄膜,然后在865~905℃温度范围内,进行了90s的高温快速热退...
关键词：材料 高铝结构 低铝结构 无杂质空位诱导 量子阱混杂 波长蓝移 
具有不同Al组分的非极性a面p型AlGaN外延层的生长及特性研究
《安庆师范大学学报（自然科学版）》2021年第3期1-7,共7页张雄 范艾杰 崔一平 
国家自然科学基金重点项目(2018YFE0201000);国家自然科学基金面上项目(62005026,61804027);江苏省自然科学基金面上项目(BK20191027,BK20180359)。
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了具有不同Al组分的非极性a面Mg-δ掺杂的p-AlGaN外延层。通过使用高分辨率X射线衍射仪、原子力显微镜和霍尔效应测试仪等表征方法,系统研究了Al组分从0到41%的...
关键词：脉冲流量供给 非极性a面p-AlGaN 镁掺杂 表面形态 电阻率 空穴浓度 
10年模拟氮沉降对苦竹林根际与非根际土壤铝组分的影响被引量：5
《生态环境学报》2021年第7期1368-1374,共7页陈雨芩 陈冠陶 王宇 陈蕙心 李青桦 涂利华 
国家自然科学基金项目(32071591);国家级大学生创新性实验计划项目(201910626003,202010626023);四川省教育厅项目(17ZA0310)。
长期高速率的氮(N)沉降将大量的活性N输入到陆地生态系统,使得部分森林生态系统的土壤酸化问题日益严重。酸化导致的土壤中交换性铝(Al)的增加直接威胁着植物生长和生态系统安全。为探索长期不同N沉降情形下竹林土壤Al组分的响应,于2007...
关键词：N沉降 土壤酸化 根际 AL组分 
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