量子阱混杂

作品数：27被引量：42H指数：5
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Zn杂质诱导GaInP/AlGaInP红光半导体激光器量子阱混杂的研究
《光子学报》2024年第1期1-12,共12页何天将 刘素平 李伟 林楠 熊聪 马骁宇 
国家自然科学基金(No.62174154)。
在GaAs基GaInP/AlGaInP单量子阱结构外延片上分别使用磁控溅射设备生长ZnO薄膜和等离子增强化学气相沉积设备生长SiO2薄膜,以ZnO介质层作为Zn杂质诱导源,采用固态扩Zn的方式对激光器进行选择性区域诱导以制备非吸收窗口来提高器件的腔...
关键词：半导体激光器 量子阱混杂 复合介质层 蓝移 非吸收窗口 
多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究被引量：2
《中国光学（中英文）》2023年第6期1512-1523,共12页刘翠翠 林楠 马骁宇 张月明 刘素平 
广东省重点领域研发计划项目(No.2020B090922003);中核集团"青年英才"科研项目(No.11FY212306000801)。
腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaA...
关键词：半导体激光器 量子阱混杂 快速热退火 波长蓝移 光致发光谱 
Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究被引量：1
《中国光学》2022年第3期426-432,共7页王予晓 朱凌妮 仲莉 孔金霞 刘素平 马骁宇 
腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索。本文使用Si介...
关键词：量子阱混杂 半导体激光器 腔面光学灾变损伤 
Si_(x)N_(y)沉积参数对量子阱混杂效果的影响被引量：2
《光学学报》2022年第10期265-269,共5页王予晓 朱凌妮 仲莉 林楠 刘素平 马骁宇 
广东省重点领域研发计划项目(2020B090922003)。
Si_(x)N_(y)常被用作量子阱混杂(QWI)的抑制材料,为了探索Si_(x)N_(y)的生长工艺对InGaAs/GaAs量子阱结构混杂效果的影响,对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法的工艺参数,如沉积时间、SiH_(4)流量以及射频(RF)功率进行一系列实验。实...
关键词：薄膜 Si_(x)N_(y)量子阱混杂 INGAAS/GAAS 蓝移 PECVD 
基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀)被引量：1
《光子学报》2022年第2期103-109,共7页王予晓 朱凌妮 仲莉 祁琼 李伟 刘素平 马骁宇 
国家自然科学基金(No.62174154)。
腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一。为制备高功率和高可靠性半导体器件,初步探索了Si杂质诱导量子阱混杂技术,并将其应用于975 nm半导体激光器件的非吸收窗口制备工艺。采用循环退火方式,研究了不...
关键词：半导体激光器 量子阱混杂 非吸收窗口 腔面光学灾变损伤 硅 退火 
带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管被引量：5
《发光学报》2022年第1期110-118,共9页刘翠翠 林楠 马骁宇 井红旗 刘素平 
国家自然科学基金(11690044);国家重点研发计划(2018YFB1107300)资助项目。
为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析。首先,对于带有非吸收窗口的二极...
关键词：半导体激光二极管 腔面光学灾变损伤 量子阱混杂 非吸收窗口 
对915nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究被引量：6
《光学学报》2022年第1期192-198,共7页何天将 井红旗 朱凌妮 刘素平 马骁宇 
国防科技重点基金(6142405041803)。
高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提,但高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤(COD)制约了激光器的最大输出功率和可靠性。为了提高915 nm InGaAsP/GaAsP半导体激光器的COD阈值,利用金属有机物化学气相沉...
关键词：激光器 高功率半导体激光器 快速热退火 量子阱混杂 光学灾变损伤 非吸收窗口 
不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响被引量：2
《中国激光》2021年第24期40-46,共7页张娜玲 井红旗 袁庆贺 仲莉 刘素平 马骁宇 
国家重点研发项目(2018YFB1107301);国防科技重点基金(6142405041803)。
为了获得更好的量子阱混杂效果,深入探讨了不同Al组分的扩散阻挡层对无杂质空位诱导量子阱混杂的影响。首先在两种不同Al组分外延片表面上分别生长了一层200nm厚的SiO_(2)介质薄膜,然后在865~905℃温度范围内,进行了90s的高温快速热退...
关键词：材料 高铝结构 低铝结构 无杂质空位诱导 量子阱混杂 波长蓝移 
Si杂质扩散诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂的研究（英文）被引量：11
《中国光学》2020年第1期203-216,共14页刘翠翠 林楠 熊聪 曼玉选 赵碧瑶 刘素平 马骁宇 
半导体激光器军民两用基金预研项目(No.41414010302)~~
光学灾变损伤(COD)常发生于量子阱半导体激光器的前腔面处,极大地影响了激光器的出光功率及寿命。通过杂质诱导量子阱混杂技术使腔面区波长蓝移来制备非吸收窗口是抑制腔面COD的有效手段,也是一种高效率、低成本方法。本文选择了Si杂质...
关键词：量子阱半导体激光器 光学灾变损伤 量子阱混杂 蓝移 
多变量离子注入型量子阱混杂效应被引量：5
《激光与光电子学进展》2020年第1期168-174,共7页葛晓红 张瑞英 郭春扬 李安男 王帅达 
江西省自然科学基金资助项目(2019ACBL20054);江苏省重点研发计划(产业前瞻与共性关键技术)资助项目(BE2016083)。
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致...
关键词：激光器 量子阱混杂 离子注入 波长蓝移 光致发光谱 
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