SI衬底

作品数：231被引量：424H指数：10
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Si衬底上基于诱导成核技术的高质量GaN外延
《电子学报》2024年第12期3907-3913,共7页许钪 许晟瑞 陶鸿昌 苏华科 高源 杨赫 安瑕 黄俊 张进成 郝跃 
国家自然科学基金(No.62074120);国家资助博士后研究人员计划(No.GZC20241306);湖北省开发项目(No.2022BFE001)。
氮化镓(GaN)具有直接带隙、高频、大功率和高电子迁移率等优良的材料特性,使其在电力电子和光电器件等领域都具有广阔的应用前景.Si衬底具备大尺寸、低成本和工艺兼容性好等优势,所以Si基GaN具有很高的研究价值和商业价值.GaN材料的晶...
关键词：氮化镓 诱导成核 快速热退火 金属有机化学气相沉积 位错密度 光学性能 电学性能 
Si(111)邻位面衬底上InSb薄膜的外延生长及其可见光电导特性
《半导体光电》2024年第5期811-816,共6页杜绍增 方晨旭 刘婷 李含冬 
国家自然科学基金项目(62374025,U20A20145).
锑化铟(InSb)因其在红外探测、高速电子学和量子计算等领域的卓越性能备受关注。文章探索了Si(111)邻位面衬底上InSb薄膜的异质外延生长,并研究了其光电导特性。尝试采用Bi缓冲层结合InSb两步法生长策略解决Si与InSb晶格失配和热膨胀系...
关键词：INSB薄膜 SI衬底 临位面外延 Bi缓冲层 
Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2023年第5期723-731,共9页杨学林 沈波 
国家重点研发计划(2021YFB3602400,2022YFB3604400);国家自然科学基金(62234002,61927806);广东省重点研发计划(2020B010171002)。
Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制...
关键词：Si衬底上GaN 金属有机化合物化学气相沉积 应力 位错 射频损耗 
8英寸Si基GaN HEMT薄膜材料的制备和研究被引量：2
《中国集成电路》2023年第5期86-90,共5页吴勇 
氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有禁带宽度大、电子饱和速度高、热导率高、临界击穿电压高等优异的材料性能,所以在高频、高压、大功率器件方面具有非常广泛的应用前景。考虑到尺寸及成本的优势,在Si衬底上外延GaN已成为主要研究...
关键词：8英寸Si衬底 高电子迁移率晶体管 二维电子气 外延生长 
基于纳米量热的Si薄膜衬底Sn微滴的凝固特性
《上海金属》2022年第4期83-87,共5页李顺 张黎 赵炳戈 高玉来 
国家自然科学基金(52071193)。
金属熔体的形核过程是影响其凝固组织与性能的主要因素,实际的金属凝固过程多为异质形核,异质形核的难易程度则主要由形核界面决定。采用磁控溅射技术制备非晶Si薄膜,然后利用纳米量热仪研究了纯Sn微滴在此衬底上的凝固形核特性。结果表...
关键词：非晶Si衬底 异质形核 接触角 纳米量热仪 形核动力学 
Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展
《半导体技术》2021年第11期825-832,共8页刘鹏浩 江弘胜 张明丹 张晓琴 陈胜 王文樑 李国强 
广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010145001)。
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景。然而,Si基Ge器件性能会受制于Si与Ge之间较大的晶格失配所产生的高密度位错。因此,控制Si衬底上Ge外延薄...
关键词：Si基集成 Si基Ge薄膜 异质外延 位错控制 器件 
Si衬底Cu_(2)ZnSnS_(4)太阳能电池的数值分析
《物理学报》2021年第10期340-348,共9页刘辉城 许佳雄 林俊辉 
国家自然科学基金(批准号:61504029);广东省科技计划(批准号:2017A010104017)资助的课题.
在Si衬底上制备的Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)太阳能电池具有CZTS与Si衬底的晶格失配低的优点,但目前其转换效率仍较低.本文采用异质结太阳能电池仿真软件Afors-het对Si衬底CZTS太阳能电池进行数值计算.对现有的p-CZTS/n-Si太阳能电池的计算...
关键词：Cu_(2)ZnSnS_(4) SI 背电极 光伏特性 
聚苯乙烯纳米球模板和Si衬底的微结构随离子束轰击时间的演变规律被引量：1
《材料导报》2020年第24期24155-24159,共5页李东泽 张明灵 杨杰 王茺 杨宇 
国家自然科学基金(11504322,11564043);云南省应用基础研究计划面上项目(2019FB130,2016FB002);云南省教育厅科学研究基金项目(2019J0004);云南大学东陆中青年骨干教师培养项目。
使用离子束正入射轰击Si衬底上有序密排的聚苯乙烯(PS)纳米球模板,通过分析PS纳米球和Si衬底的微结构与离子束轰击时间的关系,研究了离子束的非选择性刻蚀对PS纳米球和Si衬底的刻蚀作用。实验结果表明:随着离子束轰击时间的延长,PS纳米...
关键词：离子束刻蚀 纳米球刻蚀 有序阵列 SI纳米线 Si纳米锥 
Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响被引量：1
《材料研究学报》2020年第10期744-752,共9页甄龙云 彭鹏 仇成功 郑蓓蓉 Antonios Armaou 钟蓉 
国家重点研发计划项目-政府间国际科技创新合作重点专项(2016YFE0105900)。
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等手段表征AlN和GaN薄膜的微观结构和晶体质量,研究了TMAl流量对AlN薄膜和GaN薄膜...
关键词：材料表面与界面 生长机制 金属有机物化学气相沉积 Al预沉积 SI衬底 GaN薄膜 
Si衬底上NiCo2O4薄膜的外延生长和电学性质
《河北师范大学学报（自然科学版）》2020年第4期302-307,共6页甄聪棉 郭文哲 刘璐 田之雪 侯登录 
国家自然科学基金(51971087);河北省自然科学基金(A2018205144);河北省高等学校自然科学重点项目(ZD2017041)。
改变沉积温度,在Si(100)衬底上制备了NiCo2O4外延薄膜,探究其结构和电学性质的变化.研究发现,衬底对薄膜有压应力作用,晶体结构产生压缩效果,使样品导电性增强;变程和近程跃迁在整个测试温区同时作用,低温以变程跃迁为主,高温以近程跃...
关键词：NiCo2O4 外延薄膜 导电机制 变程跃迁 近程跃迁 
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