杨学林

作品数：8被引量：25H指数：3
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：氮化镓成核单晶氮化镓薄膜宽禁带半导体更多>>
发文领域：电子电信理学金属学及工艺化学工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《新材料产业》《物理学进展》《发光学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目广东省自然科学基金更多>>
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增强型Cascode结构GaN HEMT器件中子辐照效应研究
《航天器环境工程》2024年第5期617-624,共8页周炜翔 曹荣幸 胡迪科 王义元 许灏炀 杨学林 陆雨鑫 王玉才 薛玉雄 
国家重点研发计划项目(编号:2023YFB3611904)。
为探究增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件的中子辐照效应及机理,首先利用归一化能量为1 MeV、注量为1×10^(14) n/cm^(2)的中子源开展辐照效应试验,并对辐照前/后器件的电学特性进行测试,结果表明,经过中子辐照后,器件的阈值电...
关键词：中子辐照 共源共栅结构 GaN HEMT器件 电学性能 Geant4仿真 TCAD仿真 
Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展被引量：2
《人工晶体学报》2023年第5期723-731,共9页杨学林 沈波 
国家重点研发计划(2021YFB3602400,2022YFB3604400);国家自然科学基金(62234002,61927806);广东省重点研发计划(2020B010171002)。
Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制...
关键词：Si衬底上GaN 金属有机化合物化学气相沉积 应力 位错 射频损耗 
氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延被引量：5
《人工晶体学报》2020年第11期1953-1969,共17页沈波 杨学林 许福军 
国家重点研发计划(2018YFE0125700,2016YFB0400100);国家自然科学基金(1634002,61521004,61927806)。
以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由...
关键词：氮化镓 氮化铝 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大失配异质外延 宽禁带半导体 
第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇被引量：8
《新材料产业》2018年第1期43-46,共4页陈秀芳 杨祥龙 徐现刚 杨学林 魏同波 刘建利 
宽禁带半导体——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是继第l代硅（si）、锗（Ge）和第2代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等材料之后发展起来的第3代半导体材料。
关键词：半导体材料 第3代 通讯 宽禁带半导体 碳化硅 氮化镓 砷化镓 磷化铟 
GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用被引量：8
《物理学进展》2017年第3期81-97,共17页沈波 唐宁 杨学林 王茂俊 许福军 王新强 秦志新 
国家科技重点专项(2016YFB0400100;2016YFB0400200);国家重点基础研究发展计划项目(2013CB921901;2013CB632804);国家自然科学基金(11634002;61521004;61361166007;61376095;61522401;61574006;61204099);北京市科技计划项目(Z151100003315002)对本文涉及工作的大力支持
GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件...
关键词：GaN基宽禁带半导体 外延生长 二维电子气 输运性质 自旋性质 GaN基电子器件 
金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究被引量：1
《物理学报》2010年第1期504-507,共4页邢海英 范广涵 杨学林 张国义 
国家自然科学基金(批准号:50602018);广东省自然科学基金(批准号:06025083);广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z12D0071);粤港关键领域重点突破项目(批准号:207A01501008)资助的课题~~
研究由MOCVD技术制备的GaMnN外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区1.44eV附近观察到吸收峰,吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致,结合理...
关键词：GAMNN MOCVD 密度泛函理论 光学性质 
线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1378-1381,共4页陈志涛 徐科 杨志坚 苏月永 潘尧波 杨学林 张酣 张国义 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376005)~~
利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验...
关键词：高分辨XRD 摇摆曲线 穿透位错 
用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)被引量：1
《发光学报》2006年第4期514-518,共5页苏月永 陈志涛 徐科 郭立平 潘尧波 杨学林 杨志坚 张国义 
国家自然科学基金资助项目(60376005,60577030)~~
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(2...
关键词：氮化镓 马赛克结构 扭曲角 掠入射X射线衍射 X射线衍射 
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