云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 魏同波

魏同波: 作品数：26被引量：182H指数：7; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：发光二极管衬底氮化镓多量子阱氮化物更多>>; 发文领域：电子电信理学金属学及工艺机械工程更多>>; 发文期刊：《新材料产业》《光学学报》《材料研究学报》《半导体技术》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>

NH_(3)/N_(2)复合热退火技术改善高浓度Mg掺杂GaN材料性能: 《发光学报》2024年第8期1325-1333,共9页蒋宗霖闫丹张宁魏同波王军喜魏学成; 国家重点研发计划(2022YFF0705600);国家自然科学基金(62135013)。; 研究了NH_(3)/N_(2)复合热退火技术对高浓度Mg掺杂GaN材料晶体质量、发光性质及导电性能的影响。实验结果表明,相较于传统N_(2)氛围高温热退火后处理工艺而言,NH_(3)氛围高温热退火后处理工艺可以改善高浓度Mg掺杂GaN材料的晶体质量,同...; 关键词：氮化镓 Mg掺杂热退火工艺氨气

紫外光通信用日盲型LED研究进展被引量：2: 《发光学报》2023年第10期1849-1861,共13页郭春辉孙雪娇郭凯张晓娜王兵魏同波王申苏晋荣闫建昌刘乃鑫; 2021年度山西省重点研发项目(202102030201007);国家重点研发计划(2022YFB3604804)。; 紫外光通信在激光雷达、战术通信、航空航天内部安全通讯和片上集成通信等领域有着重要应用前景。传统的紫外光通信LED光源的调制带宽窄、输出光功率低和制造工艺复杂等缺点限制了它在长距离、高速率通信和片上集成通信领域的广泛应用...; 关键词：紫外光通信微尺寸发光二极管调制速率片内集成光通信光提取效率

量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响被引量：3: 《发光学报》2022年第1期1-7,共7页郭亮郭亚楠羊建坤闫建昌王军喜魏同波; 国家重点研发计划(2017YFB0404104);国家自然科学基金(61974139);北京自然科学基金(4182063)资助项目。; AlGaN基深紫外LED由于具有高调制带宽和小芯片尺寸,在紫外光通信领域受到越来越多的关注。本研究通过改变生长AlGaN量子垒层的Al源流量,生长了三种具有不同量子垒高度的深紫外LED,研究了量子垒高度对深紫外LED光电特性和调制特性的影响...; 关键词：紫外光通信深紫外发光二极管多量子阱层调制带宽发光功率

中国半导体照明发展综述被引量：63: 《光学学报》2021年第1期264-276,共13页李晋闽刘志强魏同波闫建昌伊晓燕王军喜; 国家重点研发计划(2017YFB0403300,2017YFB0403302);国家自然科学基金(61974140,61604140)。; 半导体照明是21世纪初兴起的产业,也是我国第三代半导体材料成功产业化的第一个突破口,技术发展日新月异,是国际高科技领域竞争的焦点之一。目前,我国半导体照明产业已经形成了完整的产业链,功率白光LED、硅基LED和全光谱LED等核心技术...; 关键词：材料半导体照明发光二极管氮化物深紫外LED

Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用被引量：2: 《发光学报》2020年第8期899-912,共14页陈琪尹越任芳梁萌魏同波伊晓燕刘志强; 国家重点研发计划(2017YFB0403300,2017YFB0403302);国家自然科学基金(61974140)资助项目。; Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器件。在异质衬底上进行Ⅲ-Ⅴ化合物的共价外延时,只有外延层与衬底层间的晶格失配度较小时才能获得高质量...; 关键词：石墨烯范德华外延 Ⅲ-Ⅴ化合物

热氧化GaN制备的β-Ga2O3基日盲紫外探测器被引量：1: 《半导体光电》2019年第5期637-642,共6页孟瑞林姬小利张勇辉张紫辉毕文刚王军喜魏同波; 国家重点研发计划项目(2016YFB0400200);国家自然科学基金项目(61474109,61527814,61404134);北京市自然科学基金项目(4182063); 利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga2O3薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga2O3薄膜制备成MSM型β-G...; 关键词：热氧化电化学腐蚀 β-Ga2O3 深紫外探测器 GAN

基于球差矫正电镜在原子尺度探究氮化铝在蓝宝石衬底上的生长过程被引量：3: 《电子显微学报》2019年第3期215-220,共6页窦志鹏陈召龙李宁刘秉尧张敬民魏同波刘志强罗强廖蕾高鹏; 国家重点研发资助项目(No.2018YFB0406703); Ⅲ族氮化物在光电器件方面有着广泛的应用。探究Ⅲ族氮化物的外延生长机制对于制备高质量薄膜材料器件具有重要意义。本文利用球差矫正透射电子显微镜,揭示了金属有机化学气相沉积方法(MOCVD)生长的氮化铝(AlN)在蓝宝石(Al2O3)衬底上的...; 关键词：球差矫正电镜 ALN 蓝宝石界面原子结构极性

第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇被引量：8: 《新材料产业》2018年第1期43-46,共4页陈秀芳杨祥龙徐现刚杨学林魏同波刘建利; 宽禁带半导体——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是继第l代硅（si）、锗（Ge）和第2代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等材料之后发展起来的第3代半导体材料。; 关键词：半导体材料第3代通讯宽禁带半导体碳化硅氮化镓砷化镓磷化铟

六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹(英文): 《光子学报》2017年第11期56-61,共6页吴清清闫建昌张亮陈翔魏同波李杨刘志强魏学成王军喜李晋闽; The National Key Research and Development Program(Nos.2016YFB04000803,2016YFB04000802);the National Natural Sciences Foundation of China(Nos.61376047,61527814,61674147,61376090,61204053);Beijing Municipal Science and Technology Project(No.D161100002516002);the National High Technology Program of China(Nos.2014AA032608,2011AA03A111);the National 1000Young Talents Program,and Youth Innovation Promotion Association CAS; 利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层,用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜,得到应力小裂纹少的外延材料。实验中,对hBN材料进行人为表面化学修饰,以增加hBN的缺陷和后续AlN生长的成核中心。对比分析了有无hBN成核层时...; 关键词：ALN薄膜六方氮化硼 MOCVD 缺陷应力

使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED被引量：3: 《半导体技术》2017年第9期675-680,共6页杜泽杰段瑞飞魏同波张硕王军喜曾一平冉军学李晋闽; 国家自然科学基金资助项目(61334009;61474109;61306050); 高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜。采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN...; 关键词：金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 氮化铝(AlN) 深紫外发光二极管(UV-LED) 成核层磁控溅射

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