第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇  

作　　者：陈秀芳[1] 杨祥龙[1] 徐现刚[1] 杨学林[2] 魏同波[3] 刘建利[4] 

机构地区：[1]山东大学 [2]北京大学 [3]中国科学院半导体研究所 [4]中兴通讯股份有限公司

出　　处：《新材料产业》2018年第1期43-46,共4页Advanced Materials Industry

摘　　要：宽禁带半导体——碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），是继第l代硅（si）、锗（Ge）和第2代砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等材料之后发展起来的第3代半导体材料。

关 键 词：半导体材料 第3代 通讯 宽禁带半导体 碳化硅 氮化镓 砷化镓 磷化铟 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]