云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 姬小利

姬小利: 作品数：10被引量：26H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文主题：分布布拉格反射镜氮化镓ALGANGAN发光器件更多>>; 发文领域：电子电信理学电气工程核科学技术更多>>; 发文期刊：《激光与红外》《物理学报》《Journal of Semiconductors》《半导体光电》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金更多>>

热氧化GaN制备的β-Ga2O3基日盲紫外探测器被引量：1: 《半导体光电》2019年第5期637-642,共6页孟瑞林姬小利张勇辉张紫辉毕文刚王军喜魏同波; 国家重点研发计划项目(2016YFB0400200);国家自然科学基金项目(61474109,61527814,61404134);北京市自然科学基金项目(4182063); 利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga2O3薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga2O3薄膜制备成MSM型β-G...; 关键词：热氧化电化学腐蚀 β-Ga2O3 深紫外探测器 GAN

紫外波段SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研究被引量：4: 《物理学报》2012年第8期440-445,共6页李志成刘斌张荣张曌陶涛谢自力陈鹏江若琏郑有炓姬小利; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301900);国家自然科学基金(批准号:60990311;60906025;60936004;10904100;61176063);江苏省高等学校自然科学基金(批准号:BK2010385;BK2010178);霍英东教育基金(批准号:122028);中央高等学校基本科研基金(批准号:1105021008);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20090091120020)资助的课题~~; 采用光学传递矩阵方法设计了紫外波段SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜,并利用等离子体增强化学气相沉积技术在蓝宝石(0001)衬底上制备了SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜.光反射测试表明,样品反射谱的峰值波长仅与理论模...; 关键词：介质膜分布式布拉格反射镜传递矩阵方法 X射线反射

AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外探测器被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第12期1957-1960,共4页姬小利江若琏周建军刘斌谢自力韩平张荣郑有炓龚海梅; 国家重大基础研究(批准号:2006CB6049);国家自然科学基金(批准号:60676057)资助项目~~; 设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7 N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62 N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相...; 关键词：紫外探测器共振腔增强 AIGAN 分布布拉格反射镜传递矩阵方法

InGaN太阳电池转换效率的理论计算被引量：11: 《Journal of Semiconductors》2007年第9期1392-1395,共4页文博周建军江若琏谢自力陈敦军姬小利韩平张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049);国家自然科学基金(批准号:60476030);江苏省自然科学基金(批准号:BK2006126)资助项目~~; 根据pn结太阳电池的电流-电压方程,计算了在理想情况下,InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时,其转换效率可分别高达27.3%,36.6%和41.3%,均高于通常半导体材料太阳电池.同时,计算还得出了3种InGaN太阳电池的最佳带隙宽度及相应的I...; 关键词：INGAN 太阳电池转换效率理论计算

MOCVD生长不同Al组分AlGaN薄膜被引量：2: 《激光与红外》2007年第B09期964-966,970,共4页刘斌张荣谢自力张禹李亮张曾刘启佳姚劲周建军姬小利修向前江若琏韩平郑有炓龚海梅; 国家重点基础研究发展规划973(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142;2006AA03Z411);国家自然科学基金(6039070;60421003;60676057);教育部重大项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金项目(BK2005210);江苏省高等学校研究生创新工程基金;南京大学研究生科研创新基金; 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同A l组分A lxGa1-xN薄膜(0.13; 关键词：金属有机物化学汽相淀积 ALGAN 薄膜生长

界面极化效应对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结pin探测器光电响应的影响被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第6期947-950,共4页周建军江若琏姬小利谢自立韩平张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049);国家自然科学基金(批准号:60476030;60676057)资助项目~~; 设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-x...; 关键词：极化效应 ALGAN/GAN异质结 PIN探测器

MOCVD制备AlGaN基多波段布拉格反射镜: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期492-495,共4页刘斌张荣谢自力姬小利李亮周建军江若琏韩平郑有炓郑建国龚海梅; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049),国家自然科学基金(批准号:6039072,60476030,60421003,60676057),教育部重大项目(批准号:10416),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004),江苏省自然科学基金(批准号:BK2005210,BK2006126),江苏省高等学校研究生创新基金资助项目; 利用金属有机物化学气相淀积系统(MOCVD)制备了AlGaN基多波段布拉格反射镜.多个布拉格反射镜的工作波长覆盖从蓝绿光至紫外范围,分别由多周期的双层结构GaN/AlN,Al0.3Ga0.7N/AlN,Al0.5Ga0.5N/AlN组成.这些多周期光学结构都生长在GaN支...; 关键词：金属有机物化学气相淀积布拉格反射镜反射率

材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响: 《激光与红外》2006年第11期1060-1062,共3页谢自力张荣刘斌姬小利李亮修向前江若琏龚海梅赵红韩平施毅郑有炓; 采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DB...; 关键词：分布布拉格反射镜反射率 AlxGa1-x N/AlN 金属有机化学汽相沉积

AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征被引量：5: 《激光与红外》2005年第11期888-890,共3页姬小利江若琏李亮谢自力周建军刘斌韩平张荣郑有炓龚海梅; 国家自然科学基金项目(No.60276031);重点基础研究规划项目(No.G20000683)资助; 设计了反射中心波长为500nm的A l0.3Ga0.7N/GaN和A lN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟。采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了样品。实际测量的样品反射...; 关键词：氮化镓分布布拉格反射镜光学传递矩阵方法

AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长被引量：1: 《激光与红外》2005年第11期891-893,共3页李亮张荣谢自力张禹修向前姬小利刘成祥毕朝霞陈琳周建军刘斌韩平江若琏顾书林施毅龚海梅郑有炓; 文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。; 关键词：ALGAN GAN 分布布拉格反射镜 MOCVD

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