AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长  

MOCVD Growth of AlGaN/GaN Distributed Bragg Reflectors

作　　者：李亮[1] 张荣[1] 谢自力[1] 张禹[1] 修向前[1] 姬小利[1] 刘成祥[1] 毕朝霞[1] 陈琳[1] 周建军[1] 刘斌[1] 韩平[1] 江若琏[1] 顾书林[1] 施毅[1] 龚海梅[2] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系,江苏南京210093 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200080

出　　处：《激光与红外》2005年第11期891-893,共3页Laser & Infrared

摘　　要：文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。A number of distributed Bragg reflectors （DBRs） based on AlxGa1 -xN/GaN quarterwave layers with vari- ous A1 content have been grown on （0001） sapphire substrates using high quality GaN buffers by metalorganie chemical vapor deposition （MOCVD）. XRD, AFM, SEM and reflectance measurement are employed to analyze the structure quality,thickness and surface morphology of AlxGa1-xN/GaN DBRs.

关 键 词：ALGAN GAN 分布布拉格反射镜 MOCVD 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] TN304.055[理学—物理]