ALGAN/GAN异质结

作品数：44被引量：73H指数：5
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栅极几何结构对MIS栅结构常关p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响
《沈阳理工大学学报》2025年第1期72-77,共6页都继瑶 
辽宁省教育厅高等学校基本科研项目(JYTQN2023044);辽宁省属本科高校基本科研业务费专项资金资助项目。
高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了栅极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)栅极结构的常关型p-GaN/AlGa...
关键词：p-GaN/AlGaN/GaN异质结 AlN介质层 常关型器件 金属/绝缘体/半导体 栅极非覆盖区 
表面电荷密度及介电常数对AlGaN/GaN异质结中二维电子气性质的影响
《四川大学学报（自然科学版）》2024年第6期178-184,共7页王庆武 于白茹 郭华忠 
国家重点研发计划(2022YFF0608302);四川大学理科特色方向培育计划项目(2020SCUNL209)。
通过在Al_(x)Ga_(1-x)N层引入离化电荷面密度,结合自发极化和压电极化引起的极化电荷面密度,利用变分法计算二维电子气面密度随Al组分和Al_(x)Ga_(1-x)N厚度的变化关系.研究了相对介电常数对电子气密度的影响,并与实验数据进行了比较....
关键词：ALGAN/GAN异质结 二维电子气 离化态 变分法 
GaN基异质结霍尔传感器封装测试与输出特性
《电子学报》2024年第8期2737-2745,共9页马凯鸣 代建勋 张卉 丁喃喃 孙楠 孙仲豪 刘艳红 Yung C Liang 黄火林 
国家自然科学基金(No.61971090,No.62101093);辽宁省应用基础研究计划(No.2022JH2/101300259);大连市科技创新基金(No.2022JJ12GX011)。
霍尔传感器作为磁传感领域最常用的传感器类型,在工业生产、汽车电子、航空航天以及生物医学等方面均有广泛应用.本文利用宽禁带氮化镓(GaN)半导体耐高温、高迁移率等优点,采用标准半导体芯片制造工艺研制出AlGaN/GaN异质结结构霍尔传感...
关键词：ALGAN/GAN异质结 霍尔传感器 封装 金丝键合 高温稳定性 
AlGaN/GaN异质结HEMT电学特性仿真研究被引量：1
《现代电子技术》2024年第16期23-27,共5页李尧 张栩莹 王爱玲 牛瑞霞 王奋强 蓝俊 张鹏杰 刘良朋 吴回州 
国家自然科学基金项目(61905102);国家自然科学基金项目(62264008);兰州市青年科技人才创新项目(2023-QNQ-119);甘肃省高校青年博士支持项目(2024QB-050);开放课题(甘财教[2023]36号-集成电路产业研究院)。
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为宽禁带功率半导体器件的代表,在电子电路的应用方面有巨大的潜力。GaN HEMT因其高击穿电压、高电子迁移率等优异性能,适用于各种高频、高功率器件,并被广泛应用于雷达和航空航天等领域。文中利用Silva...
关键词：ALGAN/GAN异质结 HEMT 二维电子气 转移特性 输出特性 频率特性 热特性 
AlGaN/GaN异质结电荷密度和内建电场强度的调控
《厦门理工学院学报》2023年第5期12-16,共5页庄芹芹 林伟 闫金健 陈佳坭 
为了优化AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的性能,实现对异质结界面附近电荷密度和内建电场强度的调控,采用第一性原理计算方法,通过改变AlGaN势垒层的Al组分,或掺入少量用于p型掺杂的Mg原子进行模拟计算。结果表明,在一定范围内增大Al的组...
关键词：结场效应晶体管 ALGAN/GAN异质结 电荷密度 内建电场 第一性原理 
基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究
《人工晶体学报》2023年第5期746-752,共7页彭大青 李忠辉 蔡利康 李传皓 杨乾坤 张东国 罗伟科 
江苏省重点研发计划(SBE2020020137)。
针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN/Al_(0.20)Ga_(0.80)N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二...
关键词：ALGAN/GAN异质结 复合势垒 金属有机物气相沉积 高线性 跨导 二维电子气 
面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件被引量：1
《电子与封装》2023年第1期11-21,共11页黄森 张寒 郭富强 王鑫华 蒋其梦 魏珂 刘新宇 
中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC012);国家自然科学基金项目(62074161,6221101004,62004213,U20A20208);国家重点研发计划(2018YFE0125700);北京市科技计划国际科技合作项目(Z201100008420009,Z211100007921018)。
AlGaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒AlGaN(小于...
关键词：氮化镓 功率电子器件 ALGAN/GAN异质结 超薄势垒 增强型 功率集成 
大尺寸Si基GaN HEMT外延薄膜的生长被引量：1
《现代信息科技》2022年第16期58-61,共4页鲁德 戴一航 梁利彦 周昆楠 
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在6英寸硅(111)衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)的无裂纹、高均匀性且翘曲度可控的GaN HEMT外延薄膜。通过引入双层AlN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N超晶格和...
关键词：ALGAN/GAN异质结 高电子迁移率晶体管 二维电子气 应力控制层 外延生长 
蓝宝石衬底上AlGaN/GaN异质结的制备及性能研究被引量：1
《桂林电子科技大学学报》2022年第1期8-13,共6页张法碧 杨倩倩 梁智文 王琦 
国家自然科学基金(61764001);广西科技厅基地与人才专项(AD18281084);广西高校引进海外高层次人才“百人计划”(C66RXC040001);广西精密导航技术与应用重点实验室基金(DH201808);广东省重点领域研发计划(2020B010169001);广东省区域联合基金重点项目(2019B1515120091);广东省重点领域研发计划(2020B090922001)。
为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al_(0.30)Ga_(0.70)N/GaN异质结构,并用光学显微镜和HRXRD等测试设备对其进行了表征,结果表明:与580℃的成核温度...
关键词：成核层 位错密度 插入层 表面形貌 方块电阻 
干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性被引量：1
《半导体技术》2021年第12期932-936,985,共6页冯玉昆 于国浩 吴冬东 杜仲凯 张炳良 李新宇 张宝顺 
国家自然科学基金资助项目(61774014,12164013);中国科学院青年创新促进会资助项目(20200321)。
增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响。在同一晶圆衬底上,采用干法刻蚀和氢等离子体处理栅与源、漏之间的p-GaN,制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT。对器件静态、动态特性...
关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) ALGAN/GAN异质结 p-GaN栅 增强型 栅漏电 
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