王鑫华

作品数：9被引量：15H指数：3
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：氮化镓势垒层GAN刻蚀增强型更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术医药卫生理学更多>>
发文期刊：《中国科学：物理学、力学、天文学》《机械工程学报》《电子与封装》《科学中国人》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划香港特区政府研究资助局资助项目香港创新及科技基金更多>>
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面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件被引量：1
《电子与封装》2023年第1期11-21,共11页黄森 张寒 郭富强 王鑫华 蒋其梦 魏珂 刘新宇 
中国科学院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSW-JSC012);国家自然科学基金项目(62074161,6221101004,62004213,U20A20208);国家重点研发计划(2018YFE0125700);北京市科技计划国际科技合作项目(Z201100008420009,Z211100007921018)。
AlGaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点,在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手,重点介绍了采用超薄势垒AlGaN(小于...
关键词：氮化镓 功率电子器件 ALGAN/GAN异质结 超薄势垒 增强型 功率集成 
表面活化室温键合技术研究进展被引量：4
《机械工程学报》2022年第2期136-146,共11页张洪泽 田野 孟莹 母凤文 王鑫华 刘新宇 
国家自然科学基金资助项目(62004213)。
随着半导体技术领域对低温晶圆键合技术的需求不断增长,表面活化键合(Surface activated bonding,SAB)技术开始被广泛研究。与其他键合方式相比,即使在室温下,表面活化键合也能完成牢固的键合,对于常规半导体、金属材料等非常有效。但对...
关键词：晶圆键合 键合界面 表面活化键合 室温 
AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展被引量：5
《电源学报》2019年第3期44-52,共9页康玄武 郑英奎 王鑫华 黄森 魏珂 吴昊 孙跃 赵志波 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000,2016YFB0400100);国家自然科学基金资助项目(61804172)~~
氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用...
关键词：氮化镓(GaN) ALGAN/GAN异质结 肖特基二极管(SBD) 
绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术被引量：1
《电力电子技术》2017年第8期65-70,共6页黄森 王鑫华 康玄武 刘新宇 
中科院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSWJSC012,Y7YT024002);国家自然科学基金(61474138,11634002,61534007,61527816,61404163,61334002)~~
绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态...
关键词：功率开关器件 绝缘栅 氮化镓 
面向高性能GaN基功率电子的器件物理研究被引量：4
《中国科学：物理学、力学、天文学》2016年第10期84-99,共16页黄森 杨树 唐智凯 化梦媛 王鑫华 魏珂 包琦龙 刘新宇 陈敬 
中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金;国家自然科学基金(编号:61474138;61534007;61527816;61404163);香港研究资助局优配研究项目(编号:611512;16207115);香港创新科技基金项目(编号:ITS/192/14FP)资助
氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最佳候选之一.本文从界面态起源、极化能带工程以及可靠性机理等角度分析了GaN基功率电子器件所面临的器件...
关键词：氮化镓 功率电子器件 界面态 动态导通电阻 增强型 栅介质 可靠性 
InP基/GaN基器件与电路在微波毫米波领域“大显身手”
《科学中国人》2014年第10期33-36,共4页刘新宇 王鑫华 黄森 罗卫军 苏永波 姚鸿飞 
超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究(项目编号:2010CB327500)
你知道现代战争是依赖什么布下天罗地网,获取地方信息并实行精确打击的吗？知道天气预报是靠什么探测气象信息吗？知道为什么飞机可以在漆黑的夜空安全飞行吗？对,就是因为雷达——奇特神秘的超视距眼睛。它自投入军旅以来,便用无形的...
关键词：GaN InP 微波毫米波 化合物半导体 磷化铟 超视距 地方信息 现代战争 现代雷达 氮化镓 
GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性
《物理学报》2012年第17期476-481,共6页王鑫华 王建辉 庞磊 陈晓娟 袁婷婷 罗卫军 刘新宇 
国家重点基础研究计划(973)项目(批准号:2010CB327500)资助的课题~~
本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析...
关键词：SIN MIM电容 缺陷 平均失效前时间 
GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究
《物理学报》2011年第9期540-546,共7页王鑫华 庞磊 陈晓娟 袁婷婷 罗卫军 郑英奎 魏珂 刘新宇 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2010CB327500)资助的课题~~
本文对GaNHEMT栅漏电容的频率色散特性进行分析,认为栅边缘电容的色散是导致栅漏电容频率色散特性不同于圆肖特基二极管电容的主要原因.通过对不同栅偏置条件下缺陷附加电容与频率关系的拟合,发现小栅压下的缺陷附加电容仅满足单能级缺...
关键词：HEMT 边缘电容 缺陷 低频噪声 
AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合
《物理学报》2011年第4期542-546,共5页王鑫华 赵妙 刘新宇 蒲颜 郑英奎 魏珂 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327500);国家自然科学基金(批准号:60976059,60890191)资助的课题~~
利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征...
关键词：HEMT 费米能级 C-V特性 二维势阱的电子限制能力 
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