InP基/GaN基器件与电路在微波毫米波领域“大显身手”  

作　　者：刘新宇[1] 王鑫华[1] 黄森[1] 罗卫军[1] 苏永波[1] 姚鸿飞[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路实验室

出　　处：《科学中国人》2014年第10期33-36,共4页Scientific Chinese

基　　金：超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究(项目编号:2010CB327500)

摘　　要：你知道现代战争是依赖什么布下天罗地网,获取地方信息并实行精确打击的吗？知道天气预报是靠什么探测气象信息吗？知道为什么飞机可以在漆黑的夜空安全飞行吗？对,就是因为雷达——奇特神秘的超视距眼睛。它自投入军旅以来,便用无形的手左右着战局,如今,已经成了影响现代战争的关键因素之一。而化合物半导体集成电路的出现顺应了现代雷达（毫米波雷达）的发展需求,尤其是磷化铟（InP）基和氮化镓（GaN）基器件与电路。

关 键 词：GaN InP 微波毫米波 化合物半导体 磷化铟 超视距 地方信息 现代战争 现代雷达 氮化镓 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]