微波毫米波

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北京遥测技术研究所微波毫米波工艺研究中心
《遥测遥控》2025年第1期F0002-F0002,共1页
北京遥测技术研究所微波毫米波工艺研究中心位于北京市海淀区永丰高新技术产业园,主要从事前沿毫米波技术、微系统集成技术、先进封装工艺与先进制造技术等核心基础领域研究工作,是北京遥测技术研究所综合电子产品核心工艺研究和制造中...
关键词：副理事长单位 高新技术产业园 遥测技术 微波毫米波 系统集成技术 毫米波技术 智能制造 北京经济技术开发区 
低轨卫星微波毫米波印制电路板技术开发
《印制电路信息》2024年第12期38-47,共10页袁欢欣 林旭荣 张学东 
卫星通信向微波毫米波频段演进已成为发展趋势,与此同时也面临着更大的挑战。从互联网的概念入手,介绍了目前国内外低轨卫星技术发展及其应用进展,梳理了低轨天上端与低轨地面端2类印制电路板(PCB)产品,阐述了用于降低PCB重量的低密度...
关键词：低轨卫星 印制电路板 毫米波通信 阵列天线 封装天线 
“工业软件专栏”专家个人简介
《电子科技大学学报》2024年第6期802-802,共1页无 
李斌,博士,电子科技大学教授、博士生导师、电子科学与工程学院院长,大型电磁工业软件教育部重点实验室主任,四川省工业软件学会会长。大型工业软件国家重大工程项目首席科学家,国家级领军人才,四川省天府杰出科学家。发表高水平学术论...
关键词：电子科技大学 个人简介 工程学院院长 重大工程项目 微波毫米波 领军人才 计算机仿真设计 首席科学家 
基于石墨烯的微波频段动态可调宽带基片集成波导吸波器
《光学学报》2024年第20期245-252,共8页马家琪 李春树 马鑫 来翔 
国家自然科学基金(42361075);宁夏大学研究生创新项目(CXXM202402)。
围绕吸波器“轻、薄、宽、强”的发展目标,提出一款基于基片集成波导结构的石墨烯超宽带吸波器。将石墨烯材料蚀刻成有图案的周期结构,通过调控外加偏置电压,使其表面阻抗可调,进而设计出一款频率及吸波能力均动态可调谐的吸波器。该器...
关键词：石墨烯材料 微波毫米波 超宽带 基片集成波导 可控吸波器 动态可调 
北京遥测技术研究所微波毫米波工艺研究中心
《遥测遥控》2024年第4期F0002-F0002,共1页
北京遥测技术研究所微波毫米波工艺研究中心位于北京市海淀区永丰高新技术产业园,主要从事前沿毫米波技术、微系统集成技术、先进封装工艺与先进制造技术等核心基础领域研究工作,是北京遥测技术研究所综合电子产品核心工艺研究和制造中...
关键词：副理事长单位 高新技术产业园 遥测技术 微波毫米波 系统集成技术 毫米波技术 智能制造 北京经济技术开发区 
微波毫米波SiP三维集成陶瓷封装基板研究进展
《微波学报》2024年第S1期256-259,共4页赵燕 吴鹏 王志凌 武子泓 喻忠军 
通过系统级封装(SiP)技术实现微波前端的多功能、小型化和高可靠,已成为一条重要的技术途径。三维陶瓷封装基板通过多层布线实现内部互联,并将基板作为封装结构的一部分,进一步减小SiP模块的封装尺寸,实现更高互连密度及更高传输速度。...
关键词：陶瓷外壳 低温共烧陶瓷 高温共烧陶瓷 
低轨卫星微波毫米波PCB的技术发展与应用
《印制电路信息》2024年第S01期66-73,共8页袁欢欣 林旭荣 张学东 
低轨卫星移动通信系统与地面5G移动通信系统相融合,以及未来的6G时代,将推动构建全域内无缝覆盖和全时接入的通信网络、实现空天地海一体化。卫星通信向微波毫米波频段演进已成为发展趋势,与此同时也面临着更大的挑战。本文从互联网的...
关键词：低轨卫星 空天地一体化 印制板 毫米波通信 阵列天线 封装天线 
现代真空电子器件技术及其应用专题征稿通知
《微波学报》2024年第2期I0002-I0002,共1页
真空电子器件是大功率电磁波源领域的前沿和热点问题,为满足国防、国民经济和前沿技术领域对先进大功率微波毫米波太赫兹频段电磁波源的需求,现代真空电子器件在核心技术和应用技术等方面获得持续进步,相关真空电子器件近年来在高分辨...
关键词：真空电子器件 微波毫米波 电子装备 高传输速率 电子对抗 高分辨率成像 大科学装置 高线性度 
2024年全国微波毫米波会议征稿通知
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第3期I0014-I0016,共3页
2024年中国微波周[包括:2024年全国微波毫米波会议(NCMMW2024,微波年会)、2024年国际微波毫米波技术会议(ICMMT2024)、2024年国际无线会议(IWS2024)]将采用双语(汉语和英语)同地同期,于2024年5月16日-19日在北京市举行。2024年全国微波...
关键词：技术开发公司 中国电子学会 北京理工大学 北京邮电大学 微波毫米波 林为干 微波学报 空天信息 
200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料
《固体电子学研究与进展》2024年第1期F0003-F0003,共1页张东国 李忠辉 魏汝省 杨乾坤 彭大青 李传皓 罗伟科 王克超 
南京电子器件研究所采用国产200 mm高纯半绝缘SiC衬底,提出衬底高温刻蚀、GaN外延模式调控应力等技术,有效解决了高温下衬底边缘突翘和薄膜异质生长应力大等问题,显著降低了大尺寸外延材料的翘曲度,研制出高质量200 mm SiC衬底AlGaN/GaN...
关键词：AlGaN/GaN 外延材料 二维电子气 半绝缘 微波毫米波 方块电阻 摇摆曲线 迁移率 
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