摇摆曲线

作品数：100被引量：251H指数：7
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200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料
《固体电子学研究与进展》2024年第1期F0003-F0003,共1页张东国 李忠辉 魏汝省 杨乾坤 彭大青 李传皓 罗伟科 王克超 
南京电子器件研究所采用国产200 mm高纯半绝缘SiC衬底,提出衬底高温刻蚀、GaN外延模式调控应力等技术,有效解决了高温下衬底边缘突翘和薄膜异质生长应力大等问题,显著降低了大尺寸外延材料的翘曲度,研制出高质量200 mm SiC衬底AlGaN/GaN...
关键词：AlGaN/GaN 外延材料 二维电子气 半绝缘 微波毫米波 方块电阻 摇摆曲线 迁移率 
磷酸二氘钾晶体快速生长及其均匀性
《硅酸盐学报》2023年第6期1548-1554,共7页武鹏程 张君 张立松 徐明霞 刘宝安 孙洵 
青年学者山东大学计划(2018WLJH65)。
高功率激光系统的发展对大尺寸、高性能磷酸二氘钾(DKDP)类晶体的需求越来越大。快速生长法较传统法可大幅缩短晶体生长周期,提高晶体生长效率。但是快速生长DKDP晶体锥面区和柱面区性能存在差异,导致不同位置的性能存在不均匀性,限制...
关键词：点籽晶法 磷酸二氘钾晶体 氘含量 透过率 摇摆曲线 
导模法生长β-Ga_(2)O_(3)晶体中的小角晶界
《硅酸盐学报》2023年第6期1406-1411,共6页王佩 穆文祥 侯童 贾志泰 陶绪堂 
广东省重点领域研发计划(2020B010174002);国家自然科学基金(51932004,52002219)。
Ga_(2)O_(3)作为最具发展潜力的超宽禁带半导体材料,其晶体缺陷方面还缺乏深入且全面的研究。面缺陷小角晶界主要存在于β-Ga_(2)O_(3)(100)晶面,会破坏晶体结构完整性,降低晶体质量。采用化学刻蚀法和透射电子显微镜技术对导模法生长β...
关键词：导模法 β-氧化镓 小角晶界 摇摆曲线 
6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响
《半导体技术》2022年第5期381-385,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 芦伟立 高楠 陈秀芳 
大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温...
关键词：6英寸 SIC衬底 摇摆曲线 单晶质量均匀性 GaN外延 
InAs/GaSb超晶格结构的高分辨X射线衍射分析被引量：2
《激光与光电子学进展》2021年第23期263-269,共7页张强 房丹 齐晓宇 李含 
吉林省科技厅中青年科技创新领军人才及团队项目(20200301052RQ)。
在GaSb(100)衬底上利用分子束外延技术生长了InAs/GaSb超晶格结构,利用高分辨X射线衍射方法对其进行分析,得到了摇摆曲线上的卫星峰个数、半峰全宽、衍射峰的强度和位置等信息,计算得到了超晶格材料的界面应变、失配和周期等参量。结合...
关键词：材料 INAS/GASB超晶格 高分辨X射线衍射 应变 摇摆曲线 
降温速率对DAST单晶生长的影响
《人工晶体学报》2021年第2期253-259,共7页孟欢 杨瑞霞 王健 王增华 马林 
国家自然科学基金(61774054)。
使用籽晶法通过调整降温速率生长出高质量4-N,N-二甲胺基-4′-N′-甲基-氮杂芪对甲苯磺酸盐(DAST)晶体,研究了降温速率对DAST晶体结晶质量、光学特性及太赫兹输出特性的影响。通过核磁共振分析表征了合成原料的结构和纯度。使用X射线衍...
关键词：DAST晶体 籽晶法 降温速率 透过率 太赫兹波 摇摆曲线 
同步辐射实验配置对晶体摇摆曲线的影响被引量：2
《光学精密工程》2020年第9期1950-1957,共8页李中亮 杨俊亮 朱晔 薛莲 宋丽 
国家自然科学基金青年基金资助项目(No.11505279,No.11605279)。
为了精确测量加工、夹持、装调等工艺引起的晶体摇摆曲线的微小变化,建立了高分辨的在线检测系统。研究了同步辐射实验配置对晶体摇摆曲线的影响。首先利用DuMond图解法定性分析了不同实验配置中光束带宽和角发散的影响,根据DuMond图解...
关键词：同步辐射 高分辨实验配置 摇摆曲线 色散和消色散 DuMond作图法 
PVT法同质籽晶AlN晶体生长被引量：1
《微纳电子技术》2020年第5期399-403,共5页李宝珠 金雷 史月增 齐海涛 张丽 程红娟 洪颖 李强 
国家自然科学基金资助项目(51702297)。
为了获得高质量AlN晶体,通过物理气相传输(PVT)法,采用AlN籽晶进行AlN晶体生长,并通过双温区加热装置对衬底与原料之间的温差进行调节。研究结果表明,籽晶形核阶段,随着AlN籽晶与原料顶温差的减小,AlN的形核机制呈现三种模式,分别为岛...
关键词：物理气相传输(PVT) AlN籽晶 生长模式 生长速率 摇摆曲线 
基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料
《固体电子学研究与进展》2020年第1期F0003-F0003,共1页张东国 杨乾坤 李忠辉 彭大青 李传皓 罗伟科 董逊 
南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降...
关键词：外延材料 ALGAN/GAN 二维电子气 缓冲层 摇摆曲线 外延生长 半绝缘 迁移率 
磁控溅射制备Mo电极实验设计与研究被引量：1
《实验科学与技术》2020年第1期17-21,共5页尚正国 李东玲 佘引 陈宇昕 
重庆市自然科学基金(cstc2017jcyjAX0237);863计划先进制造技术领域(2015AA042603)
采用脉冲直流反应磁控溅射的方式在硅衬底上制备钼(Mo)电极。通过分析单一变量(如工艺真空度、气体流量等工艺参数)对Mo电极性能的影响,结合相关性实验设计规则,探究影响Mo电极性能的关键因素,优化Mo电极制备工艺,对Mo电极薄膜的性能进...
关键词：磁控溅射 半高宽 单一变量 摇摆曲线 
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