基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料  

High Quality AlGaN/GaN Heterojunction Epitaxial Material Based on Domestic 100 mm SiC Substrate

作　　者：张东国[1] 杨乾坤[1] 李忠辉[1] 彭大青[1] 李传皓[1] 罗伟科[1] 董逊[1] ZHANG Dongguo;YANG Qiankun;LI Zhonghui;PENG Daqing;LI Chuanhao;LUO Weike;DONG Xun(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2020年第1期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降低外延成本。采用该技术在100 mm国产高纯半绝缘SiC衬底上制备出1.8 μm厚高质量GaN HEMT外延材料,GaN缓冲层(002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别达到56、147 arcsec(图2),与常规工艺相比位错密度降低80%,二维电子气室温迁移率达到2 300 cm^2/(V·s),材料结晶质量和电学特性获得显著提升。

关 键 词：外延材料 ALGAN/GAN 二维电子气 缓冲层 摇摆曲线 外延生长 半绝缘 迁移率 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]