200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料  

AlGaNGaN HEMT on 200 mm HPSI SiC substrate

作　　者：张东国 李忠辉[1,2] 魏汝省 杨乾坤[1,2] 彭大青 李传皓 罗伟科[1,2] 王克超 ZHANG Dongguo;LI Zhonghui;WEI Rusheng;YANG Qiankun;PENG Daqing;LI Chuanhao;LUO Weike;WANG Kechao(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN;National Key Laboratory of Solid-state Microwave Devices and Circuits,Nanjing,210016,CHN;Shanxi Semisic Crystal Co,Ltd,Taiyuan,030062,CHN)

机构地区：[1]固态微波器件与电路全国重点实验室,南京210016 [2]南京电子器件研究所,南京210016 [3]山西烁科晶体有限公司,太原030062

出　　处：《固体电子学研究与进展》2024年第1期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：南京电子器件研究所采用国产200 mm高纯半绝缘SiC衬底,提出衬底高温刻蚀、GaN外延模式调控应力等技术,有效解决了高温下衬底边缘突翘和薄膜异质生长应力大等问题,显著降低了大尺寸外延材料的翘曲度,研制出高质量200 mm SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料(图1)。外延材料测试结果表明,二维电子气室温迁移率达到2 231 cm^(2)/(V·s),方块电阻片内不均匀性为2.3%(图2),GaN(0002)和(1012)面XRD摇摆曲线半高宽分别达到143 arcsec和233 arcsec,圆片弯曲度和翘曲度分别达到-18.7μm和27.1μm(图3)。材料显示了优良的结晶质量和电学特性,为GaN微波毫米波功率器件和MMIC应用奠定了良好的技术基础。

关 键 词：AlGaN/GaN 外延材料 二维电子气 半绝缘 微波毫米波 方块电阻 摇摆曲线 迁移率 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]