SIC衬底

作品数：59被引量：84H指数：5
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相关作者：郝跃张玉明郭辉徐现刚雷天民更多>>
相关机构：西安电子科技大学山东大学中国科学院南京电子器件研究所更多>>
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N型SiC衬底的电阻率测试原理及加工过程中测试结果的稳定性
《电子制作》2024年第22期89-91,共3页闫兰 
电阻率是表征半导体电子器件材料特性的基本品质因子。导电型SiC晶片的电阻率测量,通常采用非接触式涡流法。这种测试技术相比传统的电流-电压法有明显优势:测试过程与样品无电气连接、样品不用特殊制备、且测量快速准确。但样品晶片表...
关键词：N型SiC衬底 非接触涡流法 电阻率测量 表面状态 加工阶段 稳定性 
基于半绝缘SiC衬底GaN HEMT体陷阱的效应分析
《电子技术（上海）》2024年第3期1-3,共3页牛梓戌 
阐述采用背栅测试来表征GaN-on-SiC HEMT的体陷阱效应,过程中分别表现出两段式特征,分别对应Ⅲ族氮化物缓冲层以及半绝缘SiC衬底的加压过程。另外在Silvaco TCAD平台搭建相应的物理模型,仿真体陷阱效应以及在不同衬底电压下的电势分布。
关键词：GaN HEMTs 半绝缘SiC衬底 背栅测试 体陷阱效应建模 电流坍塌 外延优化 
200 mm高纯半绝缘SiC衬底AlGaN/GaN HEMT外延材料
《固体电子学研究与进展》2024年第1期F0003-F0003,共1页张东国 李忠辉 魏汝省 杨乾坤 彭大青 李传皓 罗伟科 王克超 
南京电子器件研究所采用国产200 mm高纯半绝缘SiC衬底,提出衬底高温刻蚀、GaN外延模式调控应力等技术,有效解决了高温下衬底边缘突翘和薄膜异质生长应力大等问题,显著降低了大尺寸外延材料的翘曲度,研制出高质量200 mm SiC衬底AlGaN/GaN...
关键词：AlGaN/GaN 外延材料 二维电子气 半绝缘 微波毫米波 方块电阻 摇摆曲线 迁移率 
物理气相传输法SiC衬底上生长AlN单晶的研究进展被引量：2
《硅酸盐学报》2023年第6期1439-1449,共11页朱亚军 王国栋 俞瑞仙 曹文豪 王守志 胡小波 徐现刚 张雷 
山东省自然科学基金(ZR2022QF044);国家自然科学基金(51872164,52202265)。
氮化铝(AlN)是直接带隙半导体,具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率[3.2 W/(cm·K)]、高表面声波速率(VL=10.13×10^(5)cm/s,VT=6.3×10^(5)cm/s)、高击穿场强和稳定的物理化学性能,是紫外/深紫外发光材料的理想衬底,由此制作的AlxGa1...
关键词：氮化铝单晶 碳化硅衬底 物理气相传输法 异质外延 
SiC激光改质剥离工艺材料损耗控制技术被引量：1
《电子工业专用设备》2023年第3期22-25,共4页张志耀 牛奔 
论述了激光改质剥离技术的基本原理,分析了激光改质加工过程中造成材料损耗的问题,针对性提出了球差校正、温度控制、形位误差综合补偿等方法,有效减小了SiC激光改质剥离工艺过程中的材料损耗。
关键词：SIC衬底 激光剥离 材料损耗 
微波功率和反应腔室压强对MPCVD生长AlN薄膜质量的影响
《微纳电子技术》2023年第4期626-632,共7页李嘉豪 丁广玉 韩军 邢艳辉 邓旭光 张尧 马晓辉 
国家自然科学基金(61731019);北京市自然科学基金(4202010)。
研究了微波功率和反应腔室压强对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法生长AlN薄膜质量的影响。采用高温MPCVD法,以N2为氮源,三甲基铝(TMAl)为铝源,在6H-SiC衬底上进行AlN薄膜的外延生长。在不同微波功率和不同反应腔室压强下,外延生长了...
关键词：ALN 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD) SIC衬底 X射线衍射(XRD) 半高全宽(FWHM) 
GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障
《固体电子学研究与进展》2023年第2期136-146,共11页林罡 
经过30年的发展,GaN已成为当今化合物半导体领域的研究和产业化的热点,同时也是卫星微波通讯的未来重点发展技术之一,但其可靠性一直是制约GaN HEMT器件工程化的重要因素。本文回顾和总结了南京电子器件研究所解决GaN HEMT微波器件的可...
关键词：氮化镓 SiC衬底GaN器件 微波功率器件 可靠性 失效机理 高温加速寿命试验(HTOL) 总剂量效应 单粒子效应 低气压放电 宇航应用保障 
6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响
《半导体技术》2022年第5期381-385,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 芦伟立 高楠 陈秀芳 
大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温...
关键词：6英寸 SIC衬底 摇摆曲线 单晶质量均匀性 GaN外延 
正晶向SiC衬底上表面光滑的N极性GaN薄膜材料的生长
《固体电子学研究与进展》2022年第2期150-156,共7页沈睿 李传皓 李忠辉 彭大青 张东国 杨乾坤 罗伟科 
江苏省重点研发计划(SBE2020020137)。
采用MOCVD技术在101.6 mm(4英寸)正晶向半绝缘C面SiC衬底上生长了厚度为1μm的GaN缓冲层。通过深入研究不同AlN成核层上生长的GaN缓冲层的性质,揭示了正晶向SiC衬底上氮极性GaN的生长机制,发现成核层表面AlN岛的密度是决定缓冲层表面形...
关键词：N极性GaN MOCVD AlN成核层 正晶向SiC衬底 微波应用 
SiC衬底上β-Ga_(2)O_(3)薄膜生长及p-SiC/n-β-Ga_(2)O_(3)异质结光伏特性
《人工晶体学报》2021年第12期2219-2224,共6页罗建仁 王相虎 樊天曜 金嘉妮 张如林 
国家自然科学基金(10804071,51671125);上海市自然科学基金(19ZR1420100);认知无线电与信息处理省部共建教育部重点实验室(桂林电子科技大学)开放课题(CRKL180205)。
本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在p型4H-SiC衬底上,制备出沿(403)择优生长的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。结果表明,衬底生长温度对β-Ga_(2)O_(3)薄膜的形貌、结构、组分,以及生长机理都有重要影响。当生长温度由300℃升高至500℃时,薄膜结晶...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) 4H-SiC衬底 脉冲激光沉积 生长温度 异质结太阳能电池 光电转换效率 
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