吴昊

作品数：7被引量：12H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：掺杂半导体器件SBD肖特基势垒二极管沟道效应更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
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CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管
《半导体技术》2022年第3期179-183,共5页陈延博 杨兵 康玄武 郑英奎 张静 吴昊 刘新宇 
国家自然科学基金资助项目(61804172,61874002);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法...
关键词：Si基GaN 肖特基势垒二极管(SBD) 准垂直结构 无金工艺 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN CMOS兼容工艺 
Ar离子注入边缘终端准垂直GaN肖特基势垒二极管被引量：1
《半导体技术》2021年第8期623-629,644,共8页赵媛媛 郑英奎 康玄武 孙跃 吴昊 魏珂 刘新宇 
国家自然科学基金资助项目(61804172);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm、厚度200 nm的最优终端区域尺寸。基于工艺仿真软件设计了Ar...
关键词：GAN 准垂直结构 肖特基势垒二极管 Ar离子注入 边缘终端 
AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模
《半导体技术》2021年第5期358-364,381,共8页刘芷诫 郑英奎 康玄武 孙跃 吴昊 陈晓娟 魏珂 
国家自然科学基金资助项目(61804172);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去...
关键词：GAN ALGAN/GAN异质结 肖特基势垒二极管(SBD) 混合阳极 微波输能 
氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响被引量：2
《半导体技术》2021年第2期134-138,168,共6页李鹏飞 魏淑华 康玄武 张静 吴昊 孙跃 郑英奎 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000);国家自然科学基金资助项目(61804172);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001);北方工业大学毓优人才项目。
采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处...
关键词：AlGaN/GaN HEMT 欧姆接触 氧等离子体 N空位 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 
退火处理降低AlGaN/GaN台面隔离电流被引量：2
《半导体技术》2020年第4期293-297,311,共6页赵志波 杨兵 康玄武 张静 吴昊 孙跃 郑英奎 魏珂 
国家自然科学基金资助项目(61804172);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000,2016YFB0400100);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
针对电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀后,AlGaN/GaN台面区域存在隔离电流高的问题,研究了不同退火氛围、时间、温度对台面隔离电流的影响。利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)及电学测量仪器对样品进行表征和测试。测试结果表明...
关键词：ALGAN 台面区域 隔离电流 退火处理 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 
AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展被引量：5
《电源学报》2019年第3期44-52,共9页康玄武 郑英奎 王鑫华 黄森 魏珂 吴昊 孙跃 赵志波 刘新宇 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000,2016YFB0400100);国家自然科学基金资助项目(61804172)~~
氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用...
关键词：氮化镓(GaN) ALGAN/GAN异质结 肖特基二极管(SBD) 
无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制被引量：4
《半导体技术》2019年第6期426-432,共7页吴昊 康玄武 杨兵 张静 赵志波 孙跃 郑英奎 魏珂 闫江 
国家自然科学基金资助项目(61804172);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000);科技部专项;北京市自然科学基金资助项目(4182021)
研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN...
关键词：ALGAN/GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 正向电流输运机制 TIN 势垒高度 无凹槽 
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