云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 杨树

杨树: 作品数：1被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：香港科技大学更多>>; 发文主题：功率电子器件功率电子界面态物理研究栅介质更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>; 所获基金：香港特区政府研究资助局资助项目香港创新及科技基金国家自然科学基金更多>>

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面向高性能GaN基功率电子的器件物理研究被引量：4: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2016年第10期84-99,共16页黄森杨树唐智凯化梦媛王鑫华魏珂包琦龙刘新宇陈敬; 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金;国家自然科学基金(编号:61474138;61534007;61527816;61404163);香港研究资助局优配研究项目(编号:611512;16207115);香港创新科技基金项目(编号:ITS/192/14FP)资助; 氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最佳候选之一.本文从界面态起源、极化能带工程以及可靠性机理等角度分析了GaN基功率电子器件所面临的器件...; 关键词：氮化镓功率电子器件界面态动态导通电阻增强型栅介质可靠性