绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术  

Insulated-gate GaN-based Lateral Power Switching Device Technology

作　　者：黄森[1] 王鑫华[1] 康玄武 刘新宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029

出　　处：《电力电子技术》2017年第8期65-70,共6页Power Electronics

基　　金：中科院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSWJSC012,Y7YT024002);国家自然科学基金(61474138,11634002,61534007,61527816,61404163,61334002)~~

摘　　要：绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态工程,高可靠栅介质及兼容互补MOS(CMOS)工艺的大尺寸Si基GaN器件制造等技术的研究进展,为绝缘栅GaN基平面功率开关器件的产业化应用奠定基础。Insulated-gate gallium nitride （GaN）-based lateral power switch is the best candidate for next-generation GaN power electronic technology.The scientific and technical challenges towards high-performance GaN-on-Si metal- insulator （oxide）-semiconductor （MIS/MOS） high-electron-mobility transistors （HEMT） are systematically analyzed, in- cluding surface/interface states induced threshold voltage instability and dynamic on-resistance degradation ,and con- trollability in enhancement-mode gate fabrication.State-of-the-art MIS/MOS-HEMT technologies are introduced, includ- ing engineering of surface/interface states on（A1）GaN, growth of high reliability gate dielectrics, and key technologies in fabrication of GaN-on-Si power devices in Si-complementary MOS（CMOS） foundries.

关 键 词：功率开关器件 绝缘栅 氮化镓 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]