蒲颜

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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：下场微波单片集成电路偏置内置电源场板更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信理学文化科学更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
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AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合
《物理学报》2011年第4期542-546,共5页王鑫华 赵妙 刘新宇 蒲颜 郑英奎 魏珂 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327500);国家自然科学基金(批准号:60976059,60890191)资助的课题~~
利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征...
关键词：HEMT 费米能级 C-V特性 二维势阱的电子限制能力 
Characterization and Reliability of Thin Film Resistors for MMICs Application Based on AlGaN/GaN HEMTs
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1246-1248,共3页姚小江 蒲颜 刘新宇 吴伟超 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903);中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-S W-107)资助项目~~
Tantalum nitride （TAN） and nichrome （NiCr） are the two most common materials used as thin film resistors （TFR） for monolithic microwave integrated circuits （MMIC） based on AlGaN/GaN high electron mobility tran...
关键词：TAN NICR TFR RELIABILITY MMIC 
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