键合界面

作品数:31被引量:46H指数:4
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相关机构:长江存储科技有限责任公司中国科学院厦门大学哈尔滨工业大学更多>>
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金铝键合界面行为分析与寿命模型研究
《电子与封装》2025年第1期1-6,共6页张浩 周伟洁 李靖 
随着电子封装技术的飞速发展,金铝键合工艺作为一种重要的金属间连接方式,在电子器件的制造过程中得到了广泛的应用。然而,在高温环境下,金铝键合界面的寿命会出现退化现象,直接影响整个电子系统的稳定性和寿命。设计不同温度下的高温...
关键词:封装技术 金铝键合 高温加速寿命试验 寿命模型 
β-Al_(2)O_(3)与金属铝的阳极键合及性能分析
《微纳电子技术》2024年第12期157-162,共6页王强 阴旭 刘翠荣 许兆麒 于秀秀 张蕾 刘淑文 
国家自然科学基金(52375365)。
采用高纯铝片与β-Al_(2)O_(3)陶瓷片进行阳极键合实验,通过控制键合温度和电压,研究了键合界面的微观结构和元素分布。实验结果表明,在适当的温度和电压下,铝与β-Al_(2)O_(3)界面形成了致密且无裂纹的过渡层,过渡层厚度约为5μm。扫...
关键词:阳极键合 β-Al_(2)O_(3)  键合界面 过渡层 
金刚石/GaN异质外延与键合技术研究进展
《表面技术》2024年第22期50-61,共12页吴海平 安康 许光宇 张亚琛 李利军 张永康 李鸿 张旭芳 刘峰斌 李成明 
国家自然科学基金(52102034,U23A2025);北方工业大学有组织科研(2023YZZKY12);北方工业大学研究生教育教学改革研究项目(YJS2024JG16)。
氮化镓(GaN)功率器件具有功率高、小型化的优势,但散热问题已经成为限制其高功率输出的新问题。金刚石具有块体材料最高的热导率,是GaN功率器件的理想散热材料,将金刚石与GaN功率器件集成,可以降低器件运行温度,提高功率密度,推进器件...
关键词:金刚石 氮化镓 热管理 钝化层 键合界面 异质外延 
金薄膜辅助玻璃与砷化镓阳极键合
《微纳电子技术》2024年第1期153-159,共7页张蕾 阴旭 刘翠荣 刘淑文 王强 许兆麒 
国家自然科学基金项目(52375365)。
采用磁控溅射技术在砷化镓(GaAs)表面沉积一层厚度为1μm的金薄膜,将其作为中间层成功实现了Borofloat(BF33)玻璃与GaAs的连接。阳极键合实验结果表明键合电流在短时间内达到峰值,之后迅速降低并且稳定在一个很小的数值范围内,且键合电...
关键词:阳极键合 BF33玻璃 砷化镓(GaAs) 金薄膜 键合界面 
基于异质集成封装键合界面失效行为的研究
《微纳电子与智能制造》2023年第4期61-66,共6页丁飞 王启东 李君 
国家自然基金重点项目(62304250);北京超弦存储器研究院资助项目(SAMT-2022-PM02-16)资助
本文针对异质集成扇出封装低剖面结构引入的热界面材料与金属材料界面键合可靠性问题,研究了AuSn20合金和纳米烧结银作为异质扇出封装结构中的热界面材料在温度循环条件下的仿真与实测对比分析。仿真结果表明,相同条件下纳米烧结银的塑...
关键词:异质集成 扇出封装 异质键合 界面失效 
高温存储下键合界面演化行为及寿命研究被引量:1
《电子元件与材料》2023年第10期1268-1275,共8页王潮洋 林鹏荣 戴晨毅 唐睿 李金月 
功率VDMOS已经广泛应用于航天领域,但其在空间长期高温环境下存在键合可靠性下降甚至脱键失效的问题。为评估功率VDMOS高温条件下长期服役能力,需要对相应温度条件下键合强度演化规律、失效机理、寿命评估等方面展开研究。设计150,300...
关键词:键合强度 Au-Al 键合界面 高温存储 寿命 
引线键合界面切向接触的黏滞-微滑移临界转换位置和能量耗散特性研究
《中南大学学报(自然科学版)》2023年第7期2674-2682,共9页温琪 孙韵韵 巫世晶 
国家自然科学基金资助项目(52105270)。
针对键合界面的黏滞-微滑移接触现象,基于黏滞-微滑移临界位置的连续变形条件和边界条件,建立键合界面切向接触的数学模型;推导出键合界面切向接触不同位置的变形量,研究法向键合力和超声切向力对界面黏滞-微滑移临界转换位置和能量耗...
关键词:键合界面 黏滞-微滑移 切向变形量 能量耗散 
键合界面金属间化合物对可靠性影响的研究现状被引量:2
《贵金属》2023年第1期92-101,共10页杜文晶 周文艳 裴洪营 阳岸恒 吴永瑾 孔建稳 康菲菲 
云南省重大科技专项(202002AB080001-1);昆明市科技计划项目(2019-1-G-25318000003398);云南省重大科技计划(202102AB080008);云南省科技人才与平台计划(202105AC160006);昆明市高层次人才引进工程创新类技术先进项目;云南贵金属实验室科技计划项目(YPML-2022050202)。
在微电子封装过程中,键合丝被广泛应用,而键合可靠性对于产品的应用性能有着极大的影响,受到人们的广泛关注。键合丝与常用的铝焊盘之间是异质材料,在应用和服役的过程中会在界面上产生金属间化合物(IMC),对器件可靠性产生影响,同时,键...
关键词:键合丝 金属间化合物(IMC) 键合界面 可靠性 
InGaAs/Si键合界面a-Si键合层厚度对InGaAs/Si雪崩光电二极管性能的影响被引量:1
《光子学报》2022年第2期170-179,共10页佘实现 张烨 黄志伟 周锦荣 柯少颖 
国家自然科学基金(No.62004087);福建省自然科学基金(No.2020J01815);漳州市自然科学基金(No.ZZ2020J32)。
为从根本上阻断InGaAs/Si之间的失配晶格,获得低噪声的InGaAs/Si雪崩光电二极管,理论上在InGaAs/Si键合界面插入超薄a-Si键合层,彻底隔断键合界面异质晶格,同时保证InGaAs吸收层和Si倍增层超高的晶体质量和良好的电学传输。模拟了a-Si...
关键词:InGaAs/Si键合 雪崩光电二极管 a-Si键合层 晶格失配 异质键合 
紫外光活化低温键合研究进展被引量:4
《机械工程学报》2022年第2期122-135,共14页王晨曦 戚晓芸 方慧 康秋实 周诗承 许继开 田艳红 
黑龙江省自然科学基金资助项目(LH2019E041)。
随着电子及生物医疗元器件朝着微型化、便携式及多功能性的发展,连接(电子领域内常被称为“键合”)已成为材料或结构一体化集成不可或缺的关键环节。表面活化键合避免了传统焊接工艺中的高温,能够在较低温度条件下使热膨胀差异较大的材...
关键词:紫外光 表面活化 低温连接 晶圆键合 键合界面 
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