钝化层

作品数：170被引量：242H指数：6
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FA_(0.9)Cs_(0.1)PbI_(3)钙钛矿表面低维钝化层的研究
《冶金与材料》2025年第2期28-30,共3页刘鑫 张萌 
钙钛矿太阳能电池因其低成本制造和快速发展的能量转换效率,在光伏中取得卓越的成就。钝化通常被定义为受外界环境影响较小的材料,已被证明是提高钙钛矿光伏器件效率和稳定性的最有效方法。采用合理的钝化策略直接消除缺陷或减少钙钛矿...
关键词：钙钛矿 钝化 低维钙钛矿 
晶硅太阳电池钝化层技术研究进展
《物理学报》2025年第4期1-23,共23页袁赫泽 陈新亮 梁柄权 孙爱鑫 王雪骄 赵颖 张晓丹 
国家重点研发计划(批准号:2022YFB4200102);天津市自然科学基金(批准号:21JCYBJC00270)资助的课题.
在光伏技术快速发展的背景下,晶硅太阳电池作为主流的光伏器件,其性能的提升成为研究的热点.晶硅太阳电池包括硅异质结(SHJ)太阳电池、隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池及钝化发射极和背面接触(PERC)太阳电池.晶硅太阳电池的表面钝...
关键词：晶硅太阳电池 钝化层 异质结 非晶硅薄膜 
热注入法制备CuInSe_(2)量子点及光电化学性能研究
《化学工程师》2025年第1期6-9,18,共5页任思羽 陈宇 张天时 张振东 郑威 
哈尔滨理工大学大学生创新项目(S202310214052)。
采用热注入法在相同温度、不同反应时间条件下制备了尺寸均一的CuInSe_(2)绿色量子点,利用电泳过程沉积到FTO(氟掺杂的二氧化锡)玻璃基底上的TiO_(2)介孔层中,随后与利用连续离子层沉积法制备的钝化层共同组成ZnS/CuInSe_(2)/TiO_(2)复...
关键词：CuInSe_(2)量子点 热注入法 光电化学性能 钝化层 
电子轰击引起CMOS图像传感器增益衰减研究
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第12期1414-1420,共7页闫磊 石峰 程宏昌 苗壮 杨晔 樊海波 韩剑 焦岗成 
为探究氧化铝钝化层结构的CMOS图像传感器在较高电流密度的电子轰击后电子倍增系数减小问题,本文模拟氧化铝钝化层CMOS图像传感器制备工艺方法。在晶向为(100),掺杂浓度为5×10^(18) cm^(-3)的P型硅表面制备氧化铝钝化层,模拟电子束轰击...
关键词：电子轰击(EBCMOS) 氧化铝钝化层 暗电流 电子倍增系数 图像传感器 
金刚石/GaN异质外延与键合技术研究进展
《表面技术》2024年第22期50-61,共12页吴海平 安康 许光宇 张亚琛 李利军 张永康 李鸿 张旭芳 刘峰斌 李成明 
国家自然科学基金(52102034,U23A2025);北方工业大学有组织科研(2023YZZKY12);北方工业大学研究生教育教学改革研究项目(YJS2024JG16)。
氮化镓(GaN)功率器件具有功率高、小型化的优势,但散热问题已经成为限制其高功率输出的新问题。金刚石具有块体材料最高的热导率,是GaN功率器件的理想散热材料,将金刚石与GaN功率器件集成,可以降低器件运行温度,提高功率密度,推进器件...
关键词：金刚石 氮化镓 热管理 钝化层 键合界面 异质外延 
Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双钝化层微波氢终端金刚石MOSFET特性研究
《真空电子技术》2024年第5期71-77,82,共8页陈志豪 延波 徐跃杭 
国家自然科学基金(61922021)。
微波氢终端金刚石器件低纵横比会导致较高的关态漏极泄漏电流,从而降低器件可靠性。文章首先提出一种金属-绝缘体-半导体电容模型揭示了漏极泄漏电流的抑制机理,然后利用高介电常数(High-K)顶部钝化层(Upper Passivation Layer,UPL)对...
关键词：氢终端金刚石 漏极泄漏电流 金属-绝缘体-半导体电容模型 Al_(2)O_(3)/HfO_(2)双钝化层 
MEMS正装传感器复合钝化层高温可靠性的研究
《仪表技术与传感器》2024年第6期19-25,共7页刘润鹏 赵妍琛 刘东 雷程 梁庭 冀鹏飞 王宇峰 
山西省科技重大专项计划“揭榜挂帅”项目(202201030201004);山西省重点研发计划项目(202102030201001,202102030201009)。
绝缘体上硅(SOI)所制备的压阻式正装压力传感器可在高温下良好工作,但高温环境下电阻条和金属引线长期暴露在环境中易受到氧化和腐蚀,对传感器的输出造成影响,使电学性能发生变化甚至失效,为避免这种情况,通常在表面进行钝化处理。文中...
关键词：绝缘体上硅(SOI) 压阻式正装压力传感器 复合钝化层 高温可靠性 
高浓度掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜的态密度模型研究
《电子学报》2024年第5期1591-1600,共10页蔡坤林 谢应涛 蹇欢 黄雁琳 翁嘉明 
国家自然科学基金(No.61804019);重庆市教委科学技术研究项目(No.KJZD-K202200607);重庆市研究生科研创新项目(No.CYS22441)。
针对背沟道刻蚀(Back Channel Etch,BCE)技术的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFTs),建立了一种高浓度掺杂态密度模型(High Concentration Doping Density Of States model,HCD-DOS model),并通过数值模拟...
关键词：非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 态密度模型 钝化层沉积 等离子体处理 背沟道刻蚀 
低能电子轰击引起氧化铝钝化膜BCMOS传感器暗电流变化研究被引量：1
《红外技术》2024年第3期342-346,共5页闫磊 石峰 程宏昌 焦岗成 杨晔 肖超 樊海波 郑舟 董海晨 何惠洋 
微光夜视技术重点实验室基金项目(J20210104)。
针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化...
关键词：暗电流 电子轰击 背减薄CMOS 氧化铝钝化层 
基于AlN钝化层的异面GaAs光电导开关初步研究
《通讯世界》2024年第2期196-198,共3页杨光晖 杨迎香 程骏 吴小帅 胡龙 
为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了Al...
关键词：GaAs PCSS ALN薄膜 钝化 瞬态特性 特征击穿电场强度 
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