线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性  

Necessity of Profile-Fitting when Using X-Ray Diffraction to Analyze GaN Thin Films

作　　者：陈志涛[1] 徐科[1] 杨志坚[1] 苏月永[1] 潘尧波[1] 杨学林[1] 张酣[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第8期1378-1381,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60376005)~~

摘　　要：利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.High-resolution X-ray diffraction is utilized to analyze the micro-structure of annealed and as-grown GaN thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition. Profile-fitting analyses indicate that the annealed ones have larger full widths at half maximum of （0002） rocking curve and lower densities of screw-type threading dislocations than the asgrown samples. A chemical etching experiment supports the above results. Our results indicate that profile-fitting is necessary when XRD is used to characterize the structure of GaN thin films.

关 键 词：高分辨XRD 摇摆曲线 穿透位错 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]