云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAMNN

GAMNN: 作品数：11被引量：7H指数：1; 导出分析报告; 相关作者：张国义施毅郑有炓修向前韩平更多>>; 相关机构：北京大学大连理工大学南京大学天津工业大学更多>>; 相关期刊：《Chinese Physics B》《Chinese Physics Letters》《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划广东省自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>

基于XPS与XAS的稀磁半导体GaMnN电子结构研究: 《原子与分子物理学报》2023年第5期182-186,共5页胡友昊吴文静; 采用基于同步辐射技术的X射线光电子能谱(XPS)与X射线吸收谱(XAS)测试由金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的不同Mn掺杂浓度的稀磁半导体GaMnN薄膜的电子结构,探究Mn掺杂浓度对磁性原子Mn周围的局域环境和电子态等方面的影响,并阐述...; 关键词：GAMNN 电子结构 X射线光电子能谱 X射线吸收谱

Role of vacancy-type defects in magnetism of GaMnN被引量：1: 《Chinese Physics B》2016年第6期517-522,共6页邢海英陈雨纪骋蒋盛翔苑梦尧郭志英李琨崔明启张国义; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61204008,11075176,and 11505211);the National Key Basic Research Special Foundation of China(Grant No.2013CB328705); Role of vacancy-type（N vacancy（VN） and Ga vacancy（VGa）） defects in magnetism of GaMnN is investigated by first-principle calculation.Theoretical results show that both the VNand VGainfluence the ferromagnetic st...; 关键词：GAMNN vacancy defect FERROMAGNETISM first-principles calculation MOCVD

Mid-gap photoluminescence and magnetic properties of GaMnN films grown by metal–organic chemical vapor deposition: 《Chinese Physics B》2014年第10期538-540,共3页邢海英徐章程崔明启谢玉芯张国义; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61204008,11075176,and 60976090);the National Key Basic Research Special Foundation of China(Grant No.2013CB328705); Metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） grown ferromagnetic GaMnN films are investigated by photo- luminescence （PL） measurement with a mid-gap excitation wavelength of 405 nm. A sharp PL peak at 1.8 eV is...; 关键词：GAMNN PHOTOLUMINESCENCE MAGNETISM metal-organic chemical vapor deposition

Structure Dependence of Magnetic Properties for Annealed GaMnN Films Grown by MOCVD被引量：1: 《Chinese Physics Letters》2014年第6期203-206,共4页姜显哲杨学林纪骋邢海英杨志坚王存达于彤军张国义; Supported by the National Basic Research Program of China under Grants Nos 2013CB328705 and 2011CB013101, and the National Natural Science Foundation of China under Grants Nos 61306110, 61327801, 61376012, 61204008, and 11204209.; GaMnN/GaN multilayers and conventional GaMnN single layers are grown by metal-organic chemical vapor deposition. Both kinds of samples show room-temperature ferromagnetism. After thermal annealing, the sample with GaM...

The properties of GaMnN films grown by metalorganic chemical vapour deposition using Raman spectroscopy: 《Chinese Physics B》2012年第7期513-517,共5页邢海英牛萍娟谢玉芯; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 50602018);the Natural Science Foundation of Guangdong Province, China (Grant No. 06025083);the Research Project of Science and Technology of Guangdong Province, China (Grant No. 2006A10802001);the Key Research Project of Science and Technology of Guangzhou, China (Grant No. 2005Z1-D0071);and the Crucial Field and Key Breakthrough Project of Guangdong Province and Hongkong, China (Grant No. 207A010501008); An investigation of room-temperature Raman scattering is carried out on ferromagnetic semiconductor GaMnN films grown by metalorganic chemical vapour deposition with different Mn content values. New bands around 300 a...; 关键词：diluted magnetic semiconductor metalorganic chemical vapour deposition Ram^n scat-tering

金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究被引量：1: 《物理学报》2010年第1期504-507,共4页邢海英范广涵杨学林张国义; 国家自然科学基金(批准号:50602018);广东省自然科学基金(批准号:06025083);广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z12D0071);粤港关键领域重点突破项目(批准号:207A01501008)资助的课题~~; 研究由MOCVD技术制备的GaMnN外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区1.44eV附近观察到吸收峰,吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致,结合理...; 关键词：GAMNN MOCVD 密度泛函理论光学性质

GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运以及极化效应的影响: 《物理学报》2009年第5期3397-3401,共5页汤乃云; 上海市教委科研创新项目(批准号:08LZ142);上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(批准号:B01601);上海市重点学科建设项目(批准号:P1303)资助的课题~~; 通过理论计算研究GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运特性.理论结果表明在电流特性曲线上出现两个明显的自旋分裂峰.该电流自旋分裂峰和相应的自旋极化随温度的升高而逐渐减小消失.当进一步考虑到GaN异质结界面极化电荷影响时,自旋向...; 关键词：GAMNN 铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运极化效应极化电荷

GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究被引量：1: 《物理学报》2008年第9期5875-5880,共6页程兴华唐龙谷陈志涛龚敏于彤军张国义石瑞英; 国家自然科学基金(批准号:60676052,60676032);国家重点基础研究项目特别基金(批准号:TG2007CB307004)资助的课题~~; 利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体GaMnN材料的晶格振动特性.并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取.通过与GaN薄膜的洛伦兹振子模型参数的对比研究发...; 关键词：稀磁半导体GaMnN材料遗传算法洛伦兹振子模型参数提取

ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第7期1053-1057,共5页何欢秦福文吴爱民王叶安代由勇姜辛徐茵顾彪; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60476008)~~; 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X...; 关键词：ECR-PEMOCVD 稀磁半导体 GAMNN 室温铁磁性居里温度

Preparation and characterization of room-temperature ferromagnetism GaMnN based on ion implantation: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2003年第5期474-480,共7页王基庆陈平平李志锋郭旭光 H.Makino T.Yao 陈弘黄绮周均铭陆卫; This paper reports the fabrication of GaMnN ferromagnetic semiconductor on GaN substrate by high-dose Mn ion implantation. Both the structural and optical properties for Mn+-implanted GaN material were studied by X-ra...; 关键词：DILUTED MAGNETIC semiconductor CURIE temperature SQUID.

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