秦福文

作品数：67被引量：175H指数：9
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供职机构：大连理工大学更多>>
发文主题：GAN电子回旋共振氮化镓ECR-PEMOCVDRHEED更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学动力工程及工程热物理更多>>
发文期刊：《高技术通讯》《功能材料》《无机材料学报》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划教育部留学回国人员科研启动基金安徽省高等学校优秀青年人才基金更多>>
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镀Zr高硼硅玻璃衬底上低温生长GaN薄膜研究
《信息记录材料》2022年第3期16-20,共5页王兴达 唐伟闻 秦福文 刘爱民 
实验采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,分别以高纯氮气(N2和三甲基镓(TMGa)作为氮源和镓源,改变TMGa流量,在镀锆(Zr)高硼硅玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜,并利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(...
关键词：电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 Ga N 镀Zr高硼硅玻璃衬底 低温沉积 
TMGa流量对镀Ti的Mo衬底上低温生长GaN薄膜的影响
《电子世界》2022年第2期19-21,共3页唐伟闻 秦福文 王兴达 
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术(ECR-PEMOCVD),以三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为反应的镓(Ga)源和氮(N)源,在镀钛(Ti)的金属钼(Mo)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。采用反射式高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)...
关键词：金属有机物化学气相沉积 GAN薄膜 等离子体增强 电子回旋共振 低温生长 TMG 光致发光谱 三甲基镓 
氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第1期71-77,共7页王晓琳 刘冰冰 秦福文 王德君 
国家自然科学基金资助项目(61474013)
研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性及经时击穿特性测试对处理后样品可靠性进行评价,结果表明经过ECR氮氢混合等离子体氧化后退火处理后,样...
关键词：碳化硅 可靠性 电子回旋共振等离子体 表面处理 经时击穿 
碳化硅MOS器件氧化层界面附近碳存在形式的理论研究进展
《智能电网（汉斯）》2016年第1期12-17,共6页王晓琳 王方方 李玲 郑柳 秦福文 朱韫晖 李永平 刘瑞 杨霏 王德君 
由于材料自身的优异物理电学性质,宽带隙半导体碳化硅(SiC)高功率MOSFETs器件可以大幅度降低电力系统的能耗,成为电力电子器件领域的关注热点。然而SiC MOSFET器件中SiC/SiO2的界面态密度比Si/SiO2界面态密度高两个数量级左右,导致器件...
关键词：碳化硅MOS器件 SiO2/SiC界面 碳元素 
电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响
《固体电子学研究与进展》2015年第2期191-196,201,共7页汤斌 李文波 刘冰冰 刘道森 秦福文 王德君 
SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析...
关键词：碳化硅 金属氧化物半导体电容 氧化膜经时击穿 氮等离子体氧化后退火 
线形同轴耦合微波等离子体诊断及硅薄膜制备被引量：3
《哈尔滨工程大学学报》2015年第3期423-426,共4页李慧 吴爱民 张文兰 陆文琪 秦福文 董闯 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2011252);常州市工业支撑计划资助项目(CE20110012);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT13JN08;DUT12JN02)
开发了一种新型线形同轴耦合大面积微波等离子体源,针对该新型等离子体源放电空间等离子密度及分布的不明确性,利用朗缪尔单探针法研究了不同放电参数下该等离子体源等离子体密度及空间分布情况。以微波功率,氢氩总流量(氢氩流量比为3...
关键词：线形同轴耦合微波等离子体 等离子体诊断 电子密度 多晶硅薄膜 拉曼 XRD 
石墨衬底上低维ZnO纳米材料的生长(英文)
《无机材料学报》2014年第1期103-107,共5页张志坤 章俞之 边继明 孙景昌 秦福文 刘维峰 骆英民 
Open Fund of Key Laboratory of Special Inorganic Coating of Chinese Academy of Sciences(KLICM-2012-01);Fundamental Research Funds for the Central Universities(DUT13LK02,DUT13LAB12)
本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料，即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征。结果发现...
关键词：ZNO 石墨 光致发光 高功率光电子器件 
氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2013年第3期211-214,共4页刘沙沙 秦福文 朱巧智 刘冰冰 汤斌 王德君 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT11ZD114)
降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm...
关键词：二氧化硅 碳化硅界面 金属氧化物半导体电容 氮钝化 界面态密度 Gray-Brown法 
ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜被引量：1
《哈尔滨工程大学学报》2011年第6期830-834,共5页胡娟 吴爱民 岳红云 张学宇 秦福文 闻立时 
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(200611AA03);辽宁省原材料特种制备技术重点实验室青年教师培养基金资助项目(2005100A05);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT10JN08);辽宁省教育厅高等学校科技研究资助项目
为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型（100）硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）技术交替沉积SiO2/Si/S...
关键词：ECR-PECVD 太阳能电池 薄膜 纳米硅 
在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性
《半导体光电》2010年第4期557-562,共6页刘胜芳 秦福文 吴爱民 姜辛 徐茵 顾彪 
国家自然科学基金项目(60976006)
采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜。RHEED和XRD分析显示,适当增加TMGa流量,薄膜呈现高度c轴择优取向特征;SEM表明,随着TMGa流量增加,薄膜表面逐渐平整致密;对Raman...
关键词：GAN 低温沉积 玻璃衬底 铝薄膜 ECR-PEMOCVD 
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