TMGa流量对镀Ti的Mo衬底上低温生长GaN薄膜的影响  

作　　者：唐伟闻 秦福文[1] 王兴达 

机构地区：[1]大连理工大学

出　　处：《电子世界》2022年第2期19-21,共3页Electronics World

摘　　要：利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术(ECR-PEMOCVD),以三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为反应的镓(Ga)源和氮(N)源,在镀钛(Ti)的金属钼(Mo)衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜。采用反射式高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)以及光致发光谱(PL谱)的测试手段,研究TMGa流量对薄膜的结晶质量,表面形貌以及光学性能。实验结果表明,TMGa流量对GaN薄膜的生长有非常大的影响,TMGa流量为1.4sccm时薄膜具有更好的结晶性,表面致密平整而且具有择优的a轴取向。室温PL谱表明,GaN薄膜具有358nm和374nm两个较强的紫外发射。

关 键 词：金属有机物化学气相沉积 GAN薄膜 等离子体增强 电子回旋共振 低温生长 TMG 光致发光谱 三甲基镓 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]