GAN薄膜

作品数：225被引量：376H指数：9
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Si基GaN薄膜结构热应力的有限元模拟
《中国科技论文在线精品论文》2024年第4期561-570,共10页熊国栋 严钰婕 刘洋博文 应豪 杨冰 黄俊 
湖北省自然科学基金(2022CFB904);湖北省中央引导地方科技发展专项(2022BFE001)。
本文利用有限元仿真软件COMSOL Multiphysics对不同的Si基GaN薄膜结构进行了研究,系统讨论了不同外延工艺对热应力分布及翘曲的影响。仿真结果表明,基于“一步法”工艺生长的AlN和GaN层中热应力分布均匀,并且通过增加Si衬底厚度能够有...
关键词：固体力学 GAN 有限元仿真 COMSOL多物理场耦合 
空间限制退火制备自供电p-CuI/u-GaN薄膜异质结蓝-紫光探测器研究
《半导体光电》2024年第5期700-706,共7页梁田泓 吕军兴 刘宁炀 尉俊 陈志涛 宋伟东 
广东省基础与应用基础研究基金项目(2020A1515110185,2023A1515011678);广东省科学院打造综合产业技术创新中心行动资金项目(2023GDASZH-2023030601-02).
自供电型光电探测器通过内建电场即可完成信号的探测,无需外加电源,具有低功耗、高灵敏度及快速响应等特点,引起了研究者的广泛关注。文章利用简易的真空热升华方法制备出高结晶度的CuI微米颗粒薄膜。进一步利用空间限制退火技术抑制了...
关键词：真空热升华法 空间限制退火 自供电 蓝-紫光探测器 
高能N等离子源辅助GaN薄膜生长及其物性研究
《光电子．激光》2024年第9期987-992,共6页胡海争 贺怀乐 赖黎 王顺利 吴超 郭道友 
国家自然科学基金(62274148);浙江省教育厅一般项目(23060158-F)资助项目。
氮化镓(GaN)具有宽带隙、高量子效率、优异的热稳定和抗辐射等特性,在高频、高功率电子及紫外光电器件中有着重要的作用。在本工作中,采用经济、环保的等离子增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)方法,...
关键词：等离子增强化学气相沉积(PECVD) GAN薄膜 低温沉积 N等离子体 
GaN薄膜的太赫兹光谱响应研究
《电子与封装》2024年第1期56-60,共5页韩烨 王党会 许天旱 
目前,太赫兹时域光谱(THz-TDS)已经成为研究固体光学参数及色散关系的有效工具。采用太赫兹时域光谱仪对纤锌矿结构GaN薄膜在0~8.0 THz范围内的吸收光谱、介电常数、折射率以及介电损耗等进行了研究。研究结果表明,频率为4.65 THz的太...
关键词：太赫兹时域光谱 GAN薄膜 光学性质 
斜切蓝宝石衬底上GaN薄膜的位错降低机制被引量：1
《物理学报》2023年第19期188-194,共7页徐爽 许晟瑞 王心颢 卢灏 刘旭 贠博祥 张雅超 张涛 张进成 郝跃 
国家重点研发计划(批准号:2022YFB3604400);国家自然科学基金(批准号:62074120,62134006);中央高校基本科研业务费(批准号:JB211108)资助的课题。
GaN材料以其宽禁带、高击穿电场、高热导率、直接带隙等优势被广泛应用于光电子器件、大功率器件以及高频微波器件等方面.由于GaN材料异质外延带来的大晶格失配和热失配问题,GaN在生长过程中会产生大量位错,降低了GaN材料晶体质量,导致...
关键词：斜切蓝宝石衬底 GAN 位错终止 透射电子显微镜 
不同载气对GaN薄膜外延生长影响的研究进展
《当代化工研究》2023年第18期8-11,共4页庞博 宿星亮 
山西省高等学校科技创新项目“基于MOCVD技术的第三代半导体量子点生长及其性质研究”(项目编号:2020L0043)。
氮化镓(GaN)凭借着优越的光学和电学性能使其成为新兴半导体光电产业的核心材料和基础器件,在光电子、微电子以及声电子领域中具有举足轻重的地位和广泛的应用前景。为了获得高品质GaN,对其生长条件的优化从未停止。本文综述了氮气(N2)...
关键词：GAN薄膜 外延生长 载气 氢气 氮气 薄膜质量 
多孔GaN薄膜的制备与光学性能研究被引量：1
《人工晶体学报》2023年第9期1599-1608,共10页詹廷吾 贾伟 董海亮 李天保 贾志刚 许并社 
山西浙大新材料与化工研究院资助项目(2021SX-AT002);山西省重点研发项目(201903D111009);国家自然科学基金(61604104,21972103,61904120);山西省自然科学基金(201901D111109)。
将表面沉积有金纳米颗粒的GaN薄膜在H 2与N 2的混合气氛下进行高温退火,成功制备了多孔GaN薄膜。多孔GaN薄膜的表面形貌可通过退火温度、退火时间及金沉积时间等参数进行调控。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱表征了不同GaN结构...
关键词：多孔GaN薄膜 氢气氛 高温退火 金纳米颗粒 催化剂 光学性能 光电流密度 
GaAs衬底上等离子体增强原子层沉积GaN薄膜
《半导体光电》2023年第4期573-579,共7页邱洪宇 王馨颐 段彰 仇鹏 刘恒 朱晓丽 田丰 卫会云 郑新和 
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在斜切的砷化镓(GaAs)衬底上低温沉积了氮化镓(GaN)薄膜,对生长过程、表面机制以及界面特性等进行分析,得到GaN在215~270℃的温度窗口内生长速度(Growth-Per-Cycle, GPC)为0.082 nm/cycle,并从表...
关键词：等离子增强原子层沉积 氮化镓 砷化镓衬底 低温 
多晶金刚石衬底范德瓦耳斯外延GaN薄膜
《人工晶体学报》2023年第5期901-908,共8页白玲 宁静 张进成 王东 王博宇 武海迪 赵江林 陶然 李忠辉 
国家自然科学基金(62274134);国家重点R&D项目(2021YFA0716400);国家杰出青年科学基金(61925404);芜湖、西安电子科技大学产学研合作专项基金(XWYCXY-012021005);国家重点科技专项(2009ZYHW0015):中央大学基础研究基金(JBF201101);中央高校基本科研业务费专项资金(QTZX23052)。
随着氮化镓(GaN)在高功率领域的广泛应用,GaN基器件的散热性能成为了制约其功率密度的主要因素,因此开辟新的热管理方案至关重要。具有高热导率的金刚石衬底可以用于改善GaN器件的散热问题。然而,由于金刚石和GaN之间的天然晶格失配,在...
关键词：GAN 金刚石 范德瓦耳斯外延生长 高散热 Al组分渐变 二维材料 
生长在图形化蓝宝石衬底上的GaN薄膜光学性质研究
《电子与封装》2023年第4期75-79,共5页郑俊娜 王党会 许天旱 
图形化蓝宝石衬底(PSS)技术作为提高LED发光效率的方法之一,一直备受关注。研究了PSS上生长的GaN薄膜的表面形貌、吸收光谱、红外光谱、拉曼散射(Raman)和太赫兹光谱等,并与常规蓝宝石衬底上的GaN外延薄膜进行对比。结果表明,PSS上生长...
关键词：图形化蓝宝石衬底 GAN薄膜 光学性质 
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