砷化镓衬底

作品数：17被引量：15H指数：2
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相关作者：廖小平张志强王占国关宝璐郭霞更多>>
相关机构：中国科学院东南大学中国科学院微电子研究所北京工业大学更多>>
相关期刊：《半导体杂志》《微波学报》《真空与低温》《固体电子学研究与进展》更多>>
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GaAs衬底上等离子体增强原子层沉积GaN薄膜
《半导体光电》2023年第4期573-579,共7页邱洪宇 王馨颐 段彰 仇鹏 刘恒 朱晓丽 田丰 卫会云 郑新和 
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在斜切的砷化镓(GaAs)衬底上低温沉积了氮化镓(GaN)薄膜,对生长过程、表面机制以及界面特性等进行分析,得到GaN在215~270℃的温度窗口内生长速度(Growth-Per-Cycle, GPC)为0.082 nm/cycle,并从表...
关键词：等离子增强原子层沉积 氮化镓 砷化镓衬底 低温 
改造线切割机砂浆喷布系统成功降低砷化镓衬底翘曲度
《天津科技》2019年第2期68-70,共3页李穆朗 
砷化镓(Ga As)是继硅之后被研究最深入、应用最广泛的半导体材料,被广泛应用于光电子和微电子领域。2015年年底,中国电子科技信团公司第四十六研究所陆续突破了4英寸SI-GaAs衬底制备的一系列关键技术,使其研制的衬底顺利通过了中国电科5...
关键词：翘曲度 磨粒 切割线 空载滑行 砂浆喷布系统 
日本东京大学首次通过分子束外延法实现了在硅上生长砷化镓量子点激光器有助于推动下一代计算的发展
《半导体信息》2018年第3期24-25,共2页
来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。
关键词：量子点激光器 日本东京大学 砷化镓衬底 生长工艺 分子束外延法 硅衬底 分子束外延技术 计算 
铅超薄膜在砷化镓衬底上生长量子尺寸效应研究
《河南大学学报（自然科学版）》2011年第3期251-256,共6页陈卫光 宋友林 孙强 李金铭 贾瑜 
国家自然科学基金(10974182;10874154;10604049);河南省杰出青年科技创新基金资助的课题
用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Pb(111)超薄膜在GaAs(111)极性衬底表面上的生长过程中所表现的量子尺寸效应.研究了包括Ga截断和As截断的两种情况.研究结果发现薄膜体系的表面能、功函数和晶格驰豫随着Pb(111)超薄膜的...
关键词：第一性原理方法 Pb(111)薄膜 表面能 功函数 多层驰豫 
一种基于砷化镓衬底的高峰——谷电流比的共振隧穿二极管
《煤炭技术》2010年第12期56-57,共2页高振萍 蔡一鸣 
基于砷化镓高性能共振隧道二极管(RTD)结构采用分子束外延技术生长。其结构与普通的RTD不同,这种RTD在砷化铝势垒顶层交界处增加了一层Al0.24Ga0.76As主势垒层。在室温下,这种RTD偏压下峰—谷电流比(PVCR)达到4.68,其最高峰值电流密度为...
关键词：主势垒 共振隧道二极管 PVCR 
砷化镓衬底CVD金刚石薄膜辐射探测器的研究被引量：1
《真空与低温》2009年第2期103-107,共5页吴斌 汪建华 满卫东 熊礼威 
在砷化镓(GaAs)衬底上采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备了金刚石薄膜,并对制备的薄膜进行抛光、表面氧化、退火等处理以提高薄膜质量,再用磁控溅射法在薄膜表面沉积金(Au)铝(Al)电极,制备了简易的CVD金刚石薄膜辐射探测器。...
关键词：微波等离子体 化学气相沉积 辐射探测器 
用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1411-1414,共4页刘林生 王文新 刘肃 赵宏鸣 刘宝利 蒋中伟 高汉超 王佳 黄庆安 陈弘 周均铭 
中国科学院知识创新工程;国家自然科学基金(批准号:10504030);甘肃省自然科学基金(批准号:3ZS051-A25-034)资助项目~~
采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6A...
关键词：分子束外延 砷化镓衬底 铝镓砷材料 
基于砷化镓衬底的集成天线特性分析
《电子工业专用设备》2005年第4期39-42,共4页李井龙 韩振宇 
介绍一种可以应用在系统集成(SOC)和芯片间通信方面的结构紧凑的平面天线,制造于砷化镓半绝缘衬底上的Z字型印刷偶极子天线由一个微带—共面转换器馈电。同时也介绍了一套测试天线特性的测试系统,测试结果表明进行芯片内部和芯片之间的...
关键词：偶极子天线 砷化镓 无线通信 
砷化镓衬底上螺旋电感的建模和分析被引量：4
《微波学报》2005年第B04期39-43,共5页黄志忠 殷晓星 崔铁军 洪伟 
国家自然科学基金重点项目(90307016);国家自然科学基金重大项目 (60390540)第 7子课题;国家杰出青年科学基金(60225001);国家 863重大项目(2002AA123031)资助
针对砷化镓(GaAs)衬底上螺旋电感提出了一种改进形式的集总参数等效电路模型,该等效电路模型能很好地表征螺旋电感的高频效应。同时,应用电磁场全波分析方法对螺旋电感进行仿真,并分析各参数对电感性能的影响。从得到的散射参数中提取...
关键词：单片微波集成电路(MMIC) 螺旋电感 电路模型 参数提取 砷化镓衬底 
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
《固体电子学研究与进展》2004年第2期258-261,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 60 1760 0 1;国家重大基础研究计划项目 G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5共同资助
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力...
关键词：镓、钆、砷薄膜 低能离子束系统 砷化镓衬底 
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