宋书林

作品数：13被引量：10H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：磁性半导体离子注入砷化镓X射线衍射稀磁半导体更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《科学通报》《真空科学与技术学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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大剂量Mn离子注入GaAs的性质被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期24-27,共4页宋书林 陈诺夫 柴春林 尹志岗 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金(批准号:60176001,60206007),国家重点基础研究发展计划(批准号:G20000365,G2002CB311905)资助项目
在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多...
关键词：低能注入 砷化镓 X射线衍射 梯度磁强计 
离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期57-60,共4页周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 宋书林 李艳丽 陈诺夫 林元华 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000365,G2002CB31905)和国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302120)资助项目
利用双离子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜.离子束能量在100～500eV范围内,衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向.当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束...
关键词：离子束沉积 晶体结构 XPS 
低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1658-1661,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 尹志岗 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd...
关键词：GaAs:Gd X射线衍射 X光电子能谱 
离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜
《Journal of Semiconductors》2004年第8期972-975,共4页李艳丽 陈诺夫 周剑平 宋书林 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 ;G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 ...
关键词：离子束淀积 X射线衍射 GdSi2 
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
《固体电子学研究与进展》2004年第2期258-261,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 60 1760 0 1;国家重大基础研究计划项目 G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5共同资助
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力...
关键词：镓、钆、砷薄膜 低能离子束系统 砷化镓衬底 
离子束外延制备GaAs:Gd薄膜
《功能材料》2004年第3期336-337,共2页宋书林 陈诺夫 周剑平 尹志岗 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
　室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素...
关键词：GaAs:Gd薄膜 低能离子束外延 GAAS衬底 
磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2004年第2期154-156,共3页刘志凯 周剑平 柴春林 杨少延 宋书林 李艳丽 陈诺夫 
国家 973资助项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 ;G2 0 0 2CB3 190 5 );国家自然科学基金委员会资助项目 (批准号 :60 1760 0 1;60 2 0 60 0 7;60 3 90 0 72 )
采用离子束技术 ,在n型硅基片上注入稀土元素钆 ,制备了磁性 /非磁性p n结。本文中使用的XPS对制备的样品进行测试 ,利用Origin 7 0提供的PFM工具进行研究 ,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO2 中O1s的束缚能之间 ,Si2p的XPS谱分裂为两个峰 ...
关键词：磁性半导体 GdxSi1-x XPS 离子束技术 非磁性p-n结 束缚能 无定形结构 x射线 光电子频谱 离子注入 硅化钆 
室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究
《功能材料》2004年第z1期1212-1214,1218,共4页刘志凯 宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划项目资助(G20000365和G2002CB311905)
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原...
关键词：氮化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 
离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究被引量：2
《功能材料》2004年第z1期1308-1310,共3页宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力...
关键词：半绝缘性砷化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 
离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究
《真空科学与技术》2003年第5期350-352,共3页宋书林 陈诺夫 周剑平 柴春林 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金(60176001)项目;国家重大基础研究计划(G20000683)资助课题
利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。
关键词：退火 低能离子束外延 GAAS衬底 
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