离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响  

Effect of Ion Energy and Substrate Temperature on Gadolinium Oxide Structure

作　　者：周剑平[1,2] 柴春林[2] 杨少延[2] 刘志凯[2] 宋书林[2] 李艳丽[2] 陈诺夫[2] 林元华[1] 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期57-60,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000365,G2002CB31905)和国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA302120)资助项目

摘　　要：利用双离子束沉积技术,在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜.离子束能量在100～500eV范围内,衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构,随着衬底温度的增加,择优取向转为(202)方向.当衬底温度是700℃时,出现了立方结构,这是由于离子束加热的作用,导致低温下出现单斜结构.XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷,改进工艺条件可消除部分缺陷.

关 键 词：离子束沉积 晶体结构 XPS 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]