大剂量Mn离子注入GaAs的性质  

High Dose Mn Implanted GaAs

作　　者：宋书林[1] 陈诺夫[1,2] 柴春林[1] 尹志岗[1] 杨少延[1] 刘志凯[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室,北京100083 [2]中国科学院力学研究所国家微重力实验室,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期24-27,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60176001,60206007),国家重点基础研究发展计划(批准号:G20000365,G2002CB311905)资助项目

摘　　要：在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.

关 键 词：低能注入 砷化镓 X射线衍射 梯度磁强计 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]