GAAS衬底

作品数：89被引量：102H指数：6
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GaAs衬底上等离子体增强原子层沉积GaN薄膜
《半导体光电》2023年第4期573-579,共7页邱洪宇 王馨颐 段彰 仇鹏 刘恒 朱晓丽 田丰 卫会云 郑新和 
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在斜切的砷化镓(GaAs)衬底上低温沉积了氮化镓(GaN)薄膜,对生长过程、表面机制以及界面特性等进行分析,得到GaN在215~270℃的温度窗口内生长速度(Growth-Per-Cycle, GPC)为0.082 nm/cycle,并从表...
关键词：等离子增强原子层沉积 氮化镓 砷化镓衬底 低温 
基于GaAs衬底的功分器芯片设计被引量：2
《电声技术》2022年第10期121-123,共3页韦雪真 白银超 王朋 郝志娟 
依据Wilkinson功分器原理,将四分之一波长传输线等效为集总参数电路,在GaAs衬底上设计并实现一款20~30 GHz宽带功分器芯片。通过工艺线提供的衬底设置和电磁仿真软件建模仿真优化,功分器的测试结果和仿真结果具有较高的一致性。芯片尺寸...
关键词：WILKINSON功分器 GAAS衬底 插入损耗 
GaAs衬底上β-Ga_(2)O_(3)纳米点阵薄膜的MOCVD制备
《半导体光电》2022年第3期438-443,共6页陈威 焦腾 李赜明 刁肇悌 李政达 党新明 陈佩然 董鑫 
国家自然科学基金项目(61774072)。
将热氧化与MOCVD工艺相结合,总结了一种在本征GaAs衬底上进行β-Ga_(2)O_(3)纳米点阵薄膜制备的工艺,该工艺不涉及金属催化剂与复杂刻蚀,工艺更为简单。使用扫描电子显微镜对所制备薄膜的形貌特征进行了表征与分析,发现所制备的纳米点...
关键词：β-Ga_(2)O_(3) MOCVD 纳米点阵薄膜 
采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb被引量：1
《红外与毫米波学报》2021年第6期725-731,共7页尤明慧 祝煊宇 李雪 李士军 刘国军 
海南省重点研发计划项目(ZDYF2020020);吉林省国家外国专家局引才引智项目(L2020028,L2021008,L2021009,LY202115);国家自然科学基金(61774025);吉林省科技发展计划(20190201181JC);广西机器视觉与智能控制重点实验室培育建设(厅市会商)项目(GKAD20297148)。
采用界面失配阵列(Interfacial Misfit arrays,IMF)技术深入研究了在GaAs衬底上外延生长GaSb,研究了生长温度、Sb:Ga等效原子通量比、AlSb过渡层厚度和GaSb外延层厚度对材料结构质量的影响。其中,生长温度、AlSb过渡层厚度是影响GaSb材...
关键词：分子束外延 界面失配阵列 等效原子通量比 过渡层 
不同深宽比GaAs衬底的Al_(2)O_(3)/HfO_(2)复合薄膜材料原子层沉积及能谱分析
《红外》2021年第12期1-5,共5页王仍 徐国庆 储开慧 李宁 李向阳 
科技部国家重点研发计划项目(2018YFB0504701)。
利用热原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术在不同深宽比GaAs衬底上进行了Al_(2)O_(3)/HfO_(2)复合薄膜的沉积。通过对其表面和能谱进行分析发现,沉积温度对复合薄膜的摩尔比具有较大的影响。随着深宽比的增大,其沉积表面和沟...
关键词：Al_(2)O_(3)/HfO_(2)复合薄膜 原子层沉积 能谱分析 
基于GaAs衬底的1280×1024 InAsSb双色焦平面阵列技术
《红外》2021年第10期45-48,共4页张小华 
前几年,Ⅲ-Ⅴ族锑基探测器替代了HgCdTe探测器,主要因为其成本更低,均匀性和稳定性更好,易于扩展到更大的格式。与中红外波段的HgCdTe材料相比,Ⅲ-Ⅴ材料更容易加工成大尺寸、小间距的焦平面阵列。焦平面阵列成像仪中的传统红外探测器...
关键词：焦平面阵列 探测器阵列 红外探测器 HGCDTE探测器 中红外波段 GAAS衬底 HGCDTE材料 探测器材料 
L波段高隔离度定向耦合器芯片的设计
《电子世界》2020年第9期197-199,共3页刘桢 
本文介绍了基于GaAs衬底工艺制作的L波段高隔离度定向耦合器。该芯片在1.0~1.5GHz的频带内插入损耗小于0.15dB,回波损耗优于-20dB,隔离端口之间的隔离度大于45dB,其方向性的指标达到了20dB以上。同时,使用新型拓扑结构的耦合器芯片的面...
关键词：定向耦合器 高隔离度 插入损耗 回波损耗 L波段 GAAS衬底 工艺制作 小型化 
GaAs(100)上外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(101)铁电薄膜的制备与性能研究
《电子元件与材料》2018年第8期40-44,共5页李争刚 朱俊 刘兴鹏 周云霞 
国家重点研究与发展计划(2016YFB0700201);国家自然科学基金(51372030)
采用激光分子束外延技术,在GaAs(100)衬底上,利用SrTiO_3(STO)/TiO_2复合缓冲层生长外延Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)铁电薄膜。TiO_2/STO复合缓冲层的引入用来减小晶格失配和界面互扩散,达到提高外延PZT铁电薄膜的结晶质量和电学性...
关键词：激光分子束外延 外延PZT GAAS衬底 SrTiO3(STO)/TiO2缓冲层 铁电性能 光伏性能 
相场法模拟GaAs衬底上InGaAs异质结表面形貌被引量：2
《材料导报》2018年第A01期547-552,共6页王冠 翁燕华 吴平平 
福建省中青年教师教育科研项目科技类(JA14370);福建省高校杰出青年科研人才培育计划2016
本工作采用相场法模拟GaAs衬底上生长的In_(0.3)Ga_(0.7)As多层异质结构薄膜表面。通过引入多序参量,使用半隐性傅里叶谱方法求解Cahn-Hilliard方程可以求得带缓冲层结构的薄膜表面形貌。计算结果模拟了薄膜生长过程,研究显示,使用In0.1...
关键词：相场 InGaAs异质结 表面形貌 缓冲层 
GaAs衬底共面波导S参数标准样片研制被引量：5
《微波学报》2017年第5期44-49,共6页殷玉喆 张旭勤 高猛 张继平 
GaAs等固态微波裸芯片电性能测试需要采用探针将共面波导参考面过渡到同轴参考面。设计制作了用于微波探针校准的GaAs衬底的计量级标准样片,包括SOLT和TRL校准模块,以及匹配传输线、衰减及驻波等验证模块。提出了平衡电桥结构,兼具衰减...
关键词：微波探针 校准 砷化镓(GaAs) 共面波导 S参数 
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