基于GaAs衬底的1280×1024 InAsSb双色焦平面阵列技术  

1280×1024 InAsSb-on-GaAs Two-Color Focal-Plane Array Technology

作　　者：张小华 

机构地区：[1]不详

出　　处：《红外》2021年第10期45-48,共4页Infrared

摘　　要：前几年,Ⅲ-Ⅴ族锑基探测器替代了HgCdTe探测器,主要因为其成本更低,均匀性和稳定性更好,易于扩展到更大的格式。与中红外波段的HgCdTe材料相比,Ⅲ-Ⅴ材料更容易加工成大尺寸、小间距的焦平面阵列。焦平面阵列成像仪中的传统红外探测器通常包含一个厚度均匀的材料层,以吸收入射光。探测器阵列通常与硅读出集成电路互联。空气和探测器材料的折射率不匹配会引起入射光反射,为了最大限度地减少这种反射,通常采用多层增透涂层。

关 键 词：焦平面阵列 探测器阵列 红外探测器 HGCDTE探测器 中红外波段 GAAS衬底 HGCDTE材料 探测器材料 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]