HGCDTE材料

作品数：32被引量：39H指数：3
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退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究被引量：2
《激光与红外》2023年第4期566-569,共4页邢晓帅 折伟林 杨海燕 郝斐 胡易林 牛佳佳 王鑫 赵东生 
实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降...
关键词：碲镉汞 热处理 位错密度 电学性能 载流子迁移率 
脉宽对中红外激光带内损伤HgCdTe材料的影响被引量：1
《强激光与粒子束》2022年第1期126-133,共8页胡蔚敏 王小军 田昌勇 杨晶 刘可 彭钦军 
国家自然科学基金青年科学基金项目(61805259);中国科学院固体激光重点实验室基金项目。
研究了脉宽对于中红外脉冲激光带内损伤碲镉汞(HgCdTe)材料阈值的影响,使用一维自洽模型对激光辐照HgCdTe材料程中的载流子数密度,载流子对数目流,载流子对能流,载流子温度和材料晶格温度等相关参数进行仿真计算。仿真结果表明,波长2.85...
关键词：激光辐照半导体 碲镉汞 损伤阈值 自洽模型 百皮秒脉冲激光 
基于GaAs衬底的1280×1024 InAsSb双色焦平面阵列技术
《红外》2021年第10期45-48,共4页张小华 
前几年,Ⅲ-Ⅴ族锑基探测器替代了HgCdTe探测器,主要因为其成本更低,均匀性和稳定性更好,易于扩展到更大的格式。与中红外波段的HgCdTe材料相比,Ⅲ-Ⅴ材料更容易加工成大尺寸、小间距的焦平面阵列。焦平面阵列成像仪中的传统红外探测器...
关键词：焦平面阵列 探测器阵列 红外探测器 HGCDTE探测器 中红外波段 GAAS衬底 HGCDTE材料 探测器材料 
Au掺杂HgCdTe材料的光电特性被引量：1
《红外与激光工程》2021年第4期30-36,共7页魏彦锋 孙权志 张娟 孙瑞赟 
Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),通过...
关键词：HgCdTe液相外延 Au掺杂 少子扩散长度 
美国TJT公司生产的高性能短波红外HgCdTe 320x256/30μm焦平面阵列(上)
《红外》2018年第11期44-48,共5页张小华 
Teledyne Judson Technologies(TJT)公司已经成功研制高性能短波红外(Short-wavelength Infrared,SWIR)320x256/30nm的HgCdTe焦平面阵列(Focal Plane Arrays,FPA),目前正在生产这些器件。这些FPA的截止波长一般为2.5μm或2.9pm,可以在...
关键词：焦平面阵列 短波红外 HGCDTE材料 性能 生产 INTEGRATED INFRARED CdZnTe衬底 
1 MeV电子辐照对HgCdTe材料红外透射光谱的影响被引量：1
《现代应用物理》2017年第4期52-56,共5页周东 林加木 李豫东 乔辉 文林 玛丽娅.黑尼 冯婕 郭旗 
针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的研究。通过对比辐照前后材料的性能变化,结合光在材料中的传播过程及半导体辐射效应理论,分析了位移损伤...
关键词：HGCDTE材料 红外透射光谱 电子辐照 位移损伤 
高重复频率CO_2激光重复频率大小对HgCdTe晶体温升及损伤特性影响分析被引量：7
《中国激光》2015年第2期202-209,共8页王挺峰 汤伟 邵俊峰 王锐 郭劲 
国家重点实验室自主基础研究课题(SKLLIM1004-01)
为深入分析高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的损伤机理,开展了高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的温升实验,测得了不同激光重复频率(1、5、10kHz)下HgCdTe晶体的温升过程,建立了高重复频率CO2激光辐照HgCdTe晶体的理论模型,分析了激光重复...
关键词：材料 HGCDTE材料 重复频率 脉冲CO2激光 损伤形貌 
表面处理工艺对于N型HgCdTe材料和光导器件的影响被引量：1
《红外与毫米波学报》2013年第6期498-501,共4页张立瑶 乔辉 李向阳 
国家自然科学基金(61204134;61106097)~~
报导了采用溴腐蚀和溴抛光两种表面处理工艺对于HgCdTe材料表面的影响,测试了材料的载流子浓度随迁移率分布曲线和迁移率变温曲线,将材料制成光导器件后测试了器件的电阻变温曲线,比较了溴腐蚀和溴抛光所得器件电阻变温曲线最大电阻值...
关键词：HGCDTE 溴抛光 迁移率 电阻变温 
两种不同方法测试HgCdTe材料少数载流子寿命
《红外与激光工程》2012年第11期2875-2878,共4页王妮丽 刘诗嘉 兰添翼 赵水平 姜佩璐 李向阳 
国家自然科学基金(60907048);上海市自然科学基金(10ZR1434500)
通过传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法两种方法对长波、中波及短波碲镉汞材料进行了载流子寿命测试,并对结果进行了比较。通过对比发现这两种方法测得的中波和短波材料的结果相差不大。但是对于长波材料,载流子寿命测试结果相差...
关键词：少数载流子寿命 光电导衰退 碲镉汞 
HgCdTe材料的溴-甲醇抛光工艺研究被引量：4
《半导体光电》2012年第5期683-685,702,共4页张立瑶 乔辉 李向阳 
国家自然科学基金项目(60907048)
碲镉汞(HgCdTe)红外探测器制备中的化学-机械抛光工艺会在碲镉汞材料表面形成一定深度的损伤层。用溴-甲醇化学机械抛光取代溴腐蚀工艺,有效地降低了抛光过程所产生的表面损伤。在溴-甲醇抛光工艺中,可变参数有溶液的浓度比、抛光时间...
关键词：HGCDTE 化学机械抛光 表面损伤 XRD 
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