L波段高隔离度定向耦合器芯片的设计  

作　　者：刘桢[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所

出　　处：《电子世界》2020年第9期197-199,共3页Electronics World

摘　　要：本文介绍了基于GaAs衬底工艺制作的L波段高隔离度定向耦合器。该芯片在1.0~1.5GHz的频带内插入损耗小于0.15dB,回波损耗优于-20dB,隔离端口之间的隔离度大于45dB,其方向性的指标达到了20dB以上。同时,使用新型拓扑结构的耦合器芯片的面积仅为2.2mm×1.3mm。设计的定向耦合器具有一致性高、小型化、低成本和免调试等优势,拥有良好的应用前景。

关 键 词：定向耦合器 高隔离度 插入损耗 回波损耗 L波段 GAAS衬底 工艺制作 小型化 

分 类 号：TN9[电子电信—信息与通信工程]