离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究  

Annealing effect on (Ga,Mn,As) by Ion Beam Epitaxy

作　　者：宋书林[1] 陈诺夫[1] 周剑平[1] 柴春林[1] 杨少延[1] 刘志凯[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室,北京100083

出　　处：《真空科学与技术》2003年第5期350-352,共3页Vacuum Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金(60176001)项目;国家重大基础研究计划(G20000683)资助课题

摘　　要：利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。(Ga,Mn,As) samples grown at room temperature by ion beam epitaxy were studied after annealing at different temperatures with the help of Auger electron spectroscopy spectra and X-ray diffraction spectroscopy.The results show that annealing can promote the elements'redistribution and result in new phases' recrystallization like MnO2 and Ga5.2 Mn at 400℃ .

关 键 词：退火 低能离子束外延 GAAS衬底 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]