室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究  

Study on room temperature ferromagnetic GaAs:Mn film fabricated by ion-implantation

作　　者：刘志凯[1] 宋书林[1] 陈诺夫[1,2] 尹志岗 柴春林[1] 杨少延[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室,北京100083 [2]中国科学院力学研究所国家微重力实验室,北京100080

出　　处：《功能材料》2004年第z1期1212-1214,1218,共4页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划项目资助(G20000365和G2002CB311905)

摘　　要：采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10～300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.

关 键 词：氮化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学] TN304.054