离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜  

Fabrication of GdSi_2 Films by Ion-Beam Deposition

作　　者：李艳丽[1] 陈诺夫[1,2] 周剑平[1] 宋书林[1] 杨少延[1] 刘志凯[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 [2]中国科学院力学研究所国家微重力实验室,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第8期972-975,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65 ;G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~

摘　　要：采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 .样品在氩气氛中 35 0℃ ,30 m in退火处理后 ,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄 ,说明经过退火处理 ,Gd Si2Single phase gadolinium disilicide is fabricated by a technique of ion beam deposition. The composition of samples is investigated by Auger electron spectroscopy. The structure of samples is analyzed by X ray diffraction and the surface morphology is investigated by scannig electron microscopy. X ray diffraction indicates that only orthorhombic GdSi 2 phase is found in the sample deposited at 400℃. After annealing at 350℃ for 30min at Ar atmosphere, the full width at half maximum of GdSi 2 becomes narrower. It indicates that the GdSi 2 is crystallized better after annealing.

关 键 词：离子束淀积 X射线衍射 GdSi2 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]