低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究  

Study on GaAs∶Gd Prepared by Low Energy Ion Beam Deposit

作　　者：宋书林[1] 陈诺夫[1] 周剑平[1] 尹志岗[1] 李艳丽[1] 杨少延[1] 刘志凯[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第12期1658-1661,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~

摘　　要：对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 .GaAs∶Gd samples prepared at room temperature by low energy ion beam deposit are analyzed with X-ray diffraction and high-resolution X-ray diffraction.There is no new phase except the shape of rocking curves is in close relationship with Gd implant doses.Chemical shifts of Ga2p,As3d,and Gd4d core level are studied through the comparisons between different samples from results of the X-ray photoelectron spectra.The origin of ferromagnetism is also analyzed with XPS.

关 键 词：GaAs:Gd X射线衍射 X光电子能谱 

分 类 号：TN304.7[电子电信—物理电子学]