用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料  

Growth of AlGaAs on GaAs (110) Surface by Molecular Beam Epitaxy

作　　者：刘林生[1] 王文新 刘肃[1] 赵宏鸣[2] 刘宝利[2] 蒋中伟[2] 高汉超[2] 王佳[2] 黄庆安[1] 陈弘[2] 周均铭[2] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000 [2]中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室,北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第9期1411-1414,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：中国科学院知识创新工程;国家自然科学基金(批准号:10504030);甘肃省自然科学基金(批准号:3ZS051-A25-034)资助项目~~

摘　　要：采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.A series of samples with different growth temperatures and different BEP ratios were grown on GaAs （110） substrates by molecular beam epitaxy. The samples were investigated via room temperature and low temperature photoluminescence spectra and high resolution X-ray diffraction. Then the optimized growth conditions of A104 Ga0.6 As films on GaAs （110） substrates were found.

关 键 词：分子束外延 砷化镓衬底 铝镓砷材料 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]