分子束外延法

作品数：52被引量：42H指数：3
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相关机构：中国科学院上海交通大学浙江大学东北师范大学更多>>
相关期刊：《西华师范大学学报（自然科学版）》《中国无线电电子学文摘》《红外》《化学教育（中英文）》更多>>
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金属锡的同素异形体
《化学教育（中英文）》2023年第22期1-6,共6页曹怡 章磊 殷顺高 姜建文 
江西师范大学教学改革研究课题项目(JXSDJG2035)。
从传统白锡、灰锡到新型低维锡烯、锡量子点,归纳总结了第四主族元素锡的各种同素异形体,介绍了其结构、制备、性质及应用等方面,进一步丰富了无机金属元素同素异形体的学习。
关键词：锡 同素异形体 锡烯 分子束外延法 
一维Ⅲ族氮化物外延材料的生长及表征综合实验设计
《当代化工研究》2023年第14期135-137,共3页王文樑 
华南理工大学本科教研教改项目“新工科背景下的《材料现代测试方法》课程改革研究”(项目编号:C9213098);华南理工大学探索性实验项目“Ⅲ族氮化物材料生长与测试”(项目编号:C9226640)。
为开拓学生的科学眼界,针对氮化镓(GaN)材料的制备及表征,设计了一个综合性教学实验。首先,利用化学气相沉积法和分子束外延法分别制备了一维纳米线和纳米柱;其次,采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪和扫描电子显微镜对两种GaN样品的结构和形...
关键词：Ⅲ族氮化物 GAN 纳米线 纳米柱 化学气相沉积法 分子束外延法 
BaTiO_(3)薄膜的制备及其在电光调制器的应用
《人工晶体学报》2023年第4期688-700,共13页任怡静 马新国 张锋 陆晶晶 张力 王晗 
国家自然科学基金(51472081);结构化学国家重点实验室科学基金(20210028);湖北工业大学绿色工业引领计划杰出青年基金(JCRC2021003)。
BaTiO_(3)凭借其较高的电光系数、优良的压电性质和非线性光学性质,成为制备高性能电光调制器的关键材料。其制备方法、实验条件和衬底的选择等决定了薄膜的质量、生长取向和电光系数等,进而影响电光调制器的传播损耗、半波电压、消光...
关键词：BaTiO_(3)薄膜 电光调制器 波导 电光系数 化学气相沉积法 分子束外延法 
分子束外延制备金单原子台阶样品的工艺参数改进研究被引量：1
《计量技术》2019年第8期10-13,共4页周志峰 张小敏 毛勤卫 
国家重点研发计划项目(2016YFF0204300);江苏省质监局科技计划项目(KLJ168361)
利用常规分子束外延开展单晶金原子台阶标准样品的制备,制备的样品通过扫描隧道显微镜(STM)测试发现,原子台阶数量较少且台阶高度均匀性较差.本课题针对分子束外延制备系统的基底与蒸发源距离、温度、时间、真空度等关键工艺参数进行了...
关键词：分子束外延法 单原子台阶 工艺参数 改进研究 
日本东京大学首次通过分子束外延法实现了在硅上生长砷化镓量子点激光器有助于推动下一代计算的发展
《半导体信息》2018年第3期24-25,共2页
来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。
关键词：量子点激光器 日本东京大学 砷化镓衬底 生长工艺 分子束外延法 硅衬底 分子束外延技术 计算 
ZnSe纳米材料的制备及其应用进展被引量：2
《化学与粘合》2018年第2期124-127,共4页付新 
陕西省教育厅专项科研计划项目(编号:16JK 1270)
硒化锌(ZnSe)是一种具有应用前景的半导体光电材料,近年来得到了学者的广泛关注。制备出质量较高的ZnSe早已经成为光电技术研究领域里一项重要的课题。主要叙述了最近几年来ZnSe纳米材料的一些制备技术方法的研究进程以及特点,并展望了...
关键词：硒化锌 溶胶凝胶法 分子束外延法 水热法 
分子束外延法制备ZnTe薄膜及ZnTe:O薄膜光学特性研究
《西华师范大学学报（自然科学版）》2017年第3期323-326,共4页唐楠 任翱博 刘才 李卫 张静全 武莉莉 
国家高技术研发计划(2015AA050610);四川省科技支撑计划(2016GZX0272;2014GZ0159)
ZnTe:O高失配合金半导体是实现中间带太阳电池的有效途径,其制备通过如下几步实现:1)分子数外延(MBE)设备进行ZnTe单晶生长;2)将分子束外延制备的单晶ZnTe进行离子束注入;3)通过快速激光退火处理来实现ZnTe晶体质量的提升,修复晶格损伤...
关键词：MBE 离子束注入 激光快速退火 ZnTe:O 光致发光特性 
VO_2薄膜常见制备方法综述被引量：1
《红外技术》2016年第12期1020-1025,共6页侯典心 路远 杨玚 
脉冲功率激光技术国家重点实验室主任基金资助项目(SKL2013ZR03)
VO_2是一种相变温度为68℃接近室温的热致相变材料,具有十分广泛的潜在应用价值,自从被发现以来针对它的研究就从未停止。如何使用恰当的制备方法简单、快速的制备性能良好的VO_2薄膜一直是研究的热点之一。目前,VO_2薄膜常见的制备方...
关键词：相变材料 VO2制备方法 脉冲激光沉积工艺 分子束外延法 磁控溅射法 
美国研究者推出具有p型掩埋层电流阻断的垂直氮化镓晶体管
《半导体信息》2015年第5期17-18,共2页科信 
加利福利亚圣芭芭拉大学和亚利桑那州立大学近期研制出一种氮化镓电流孔径垂直电子晶体管(CAVET),该产品拥有p型掩埋层,能产生反向偏置pn结。CAVET将二维电子气和垂直结构相结合,在铝镓氮/氮化镓界面处的二维电子气能提供较高的导电性能...
关键词：氮化镓 垂直结构 二维电子气 加利福利亚 电场分布 芭芭拉 导通电阻 击穿电压 分子束外延法 近表面 
用分子束外延法生长的立方相Zn<sub>x</sub>Mg<sub>1-x</sub>O薄膜的性质研究
《材料科学》2015年第3期79-84,共6页王小丹 周华 耿伟 康煜堃 陈晓航 王惠琼 周颖慧 詹华瀚 康俊勇 
中央高校基本科研业务费(基金号:2013SH001);上海光源吸收谱线站(BL14W).
通过分子束外延(MBE)的技术, 在富镁条件下于立方结构的MgO(100)衬底上外延生长立方相的ZnxMg1?xO薄膜。用反射高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)的方法研究了薄膜的晶体结构,结果表明,薄膜结构为四方相。用硬X射线吸收谱(XAS)的方...
关键词：ZnxMg1-xO薄膜 MgO衬底 立方结构 
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