分子束外延制备金单原子台阶样品的工艺参数改进研究  

Study on the Improvement of Process Parameters for Preparing Single Crystal Atomic Step Samples by Molecular Beam Epitaxy

作　　者：周志峰[1] 张小敏 毛勤卫 Zhou Zhifeng;Zhang Xiaomin;Mao Qinwei

机构地区：[1]常州市计量测试技术研究所,常州213164 [2]江南石墨烯研究院,常州213000

出　　处：《计量技术》2019年第8期10-13,共4页Measurement Technique

基　　金：国家重点研发计划项目(2016YFF0204300);江苏省质监局科技计划项目(KLJ168361)

摘　　要：利用常规分子束外延开展单晶金原子台阶标准样品的制备,制备的样品通过扫描隧道显微镜(STM)测试发现,原子台阶数量较少且台阶高度均匀性较差.本课题针对分子束外延制备系统的基底与蒸发源距离、温度、时间、真空度等关键工艺参数进行了改进研究,并利用扫描隧道显微镜(STM)对改进参数后所生长金单原子台阶的质量和高度进行了分析测试,结果表明通过调节基底与蒸发源距离、温度、时间和真空度等工艺过程参数能够实现云母基底金原子的可控生长,为单原子台阶标准物质的制备提供了实践经验.

关 键 词：分子束外延法 单原子台阶 工艺参数 改进研究 

分 类 号：TG146.31[一般工业技术—材料科学与工程] O78[金属学及工艺—金属材料]