刘冰冰

作品数：7被引量：11H指数：2
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供职机构：大连理工大学更多>>
发文主题：非平衡磁控溅射高功率脉冲界面态密度CRNX薄膜脉冲功率更多>>
发文领域：电子电信理学经济管理文化科学更多>>
发文期刊：《核聚变与等离子体物理》《真空科学与技术学报》《固体电子学研究与进展》《核技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅资助项目中央高校基本科研业务费专项资金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
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氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第1期71-77,共7页王晓琳 刘冰冰 秦福文 王德君 
国家自然科学基金资助项目(61474013)
研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性及经时击穿特性测试对处理后样品可靠性进行评价,结果表明经过ECR氮氢混合等离子体氧化后退火处理后,样...
关键词：碳化硅 可靠性 电子回旋共振等离子体 表面处理 经时击穿 
电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响
《固体电子学研究与进展》2015年第2期191-196,201,共7页汤斌 李文波 刘冰冰 刘道森 秦福文 王德君 
SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析...
关键词：碳化硅 金属氧化物半导体电容 氧化膜经时击穿 氮等离子体氧化后退火 
氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2013年第3期211-214,共4页刘沙沙 秦福文 朱巧智 刘冰冰 汤斌 王德君 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT11ZD114)
降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm...
关键词：二氧化硅 碳化硅界面 金属氧化物半导体电容 氮钝化 界面态密度 Gray-Brown法 
AZ31镁合金基材非平衡磁控溅射镀膜工艺研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2012年第1期6-10,共5页牟宗信 臧海蓉 刘冰冰 林曲 丁安邦 王春 董闯 
教育部科技创新工程重大项目培育资金项目资助(707015);辽宁省教育厅资助科研项目
采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在AZ31镁合金基底上制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪、电子探针、X射线衍射仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的成分、微观结构的影响。通过对薄膜力学性能和抗腐蚀性能的检测分析了氮...
关键词：氮化硅薄膜 镁合金 磁控溅射 红外光谱 抗腐蚀性 
中频孪生靶非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能(英文)被引量：2
《材料科学与工程学报》2011年第3期331-336,326,共7页王春 牟宗信 刘冰冰 臧海荣 牟晓东 
Project 50407015 supported by National Natural Science Foundation of China and Project Supported by Scientific Research Fund of Liaoning Provincial Education Department
本文采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在不同氮气流量比例的条件下制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、椭偏仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的微观结构、表面形貌、沉积速...
关键词：氮化硅薄膜 折射率 磁控溅射 红外光谱 
高功率脉冲非平衡磁控溅射制备CrNx薄膜及其性能研究被引量：1
《核技术》2010年第12期951-954,共4页牟晓东 牟宗信 王春 臧海荣 刘冰冰 董闯 
国家自然科学基金(50407015);辽宁省教育厅科研项目资助
高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)溅射粒子离化率高,可沉积致密、高性能薄膜,作为一种新技术在国外广泛研究。本文用高功率脉冲非平衡磁控溅射技术(HPPUMS)制备一系列CrN_x薄膜,采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)对不同厚度的薄膜表...
关键词：薄膜 气相沉积 脉冲功率 CrNx 硬度 
高功率脉冲非平衡磁控溅射放电特性和参数研究被引量：1
《核聚变与等离子体物理》2010年第4期365-369,共5页牟宗信 王春 贾莉 牟晓东 藏海荣 刘冰冰 董闯 
国家自然科学基金资助项目(50407015);辽宁省教育厅资助科研项目
用线圈电流控制非平衡磁场,用汤森放电击穿形成深度自触发放电,用磁阱捕获放电形成的二次电子和导致漂移电流,形成了高功率非平衡磁控溅射放电。采用偏压为-100V相对磁控靶放置的圆形平面电极收集饱和离子电流;在距离磁控靶14cm的位置由...
关键词：高功率脉冲 非平衡磁控溅射 放电特性 参数研究 magnetron sputtering high power discharge properties 离子电流 磁控靶 LANGMUIR探针 示波器测量 主要机制 形成深度 限制条件 脉冲频率 脉冲功率 脉冲电压 电流控制 空间电荷 浮置 
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