王晓琳

作品数：1被引量：4H指数：1
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供职机构：大连理工大学电子信息与电气工程学部更多>>
发文主题：表面处理MOS电容SIC可靠性经时击穿更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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氮氢混合等离子体处理对SiC MOS电容可靠性的影响被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第1期71-77,共7页王晓琳 刘冰冰 秦福文 王德君 
国家自然科学基金资助项目(61474013)
研究了ECR(Electron cyclotron resonance)氮氢混合等离子体表面处理及氧化后退火处理工艺对SiC MOS电容可靠性的影响。通过I-V特性及经时击穿特性测试对处理后样品可靠性进行评价,结果表明经过ECR氮氢混合等离子体氧化后退火处理后,样...
关键词：碳化硅 可靠性 电子回旋共振等离子体 表面处理 经时击穿 
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