李文波

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供职机构：大连理工大学电子信息与电气工程学部更多>>
发文主题：氧化膜CMSI经时击穿电子回旋共振更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》更多>>
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电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响
《固体电子学研究与进展》2015年第2期191-196,201,共7页汤斌 李文波 刘冰冰 刘道森 秦福文 王德君 
SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析...
关键词：碳化硅 金属氧化物半导体电容 氧化膜经时击穿 氮等离子体氧化后退火 
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